公开(公告)号：CN101690420B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-u·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  V·T·恩古耶 ,  D·R·威蒂 ,  H·M'塞德

IPC: H01L21/318 ,  H05H1/24 ,  C01B21/064

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C16/45523

Abstract: 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。

公开(公告)号：CN105023856A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510133606.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  闫文波 ,  V·恩古耶 ,  C·特林 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065

Abstract: 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。

公开(公告)号：CN103280446A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310136257.5

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。