公开(公告)号：CN116670323A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180088856.7

申请日：2021-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 付高生 ,  T·A·恩古耶 ,  A·班塞尔 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: C23C16/50

Abstract: 示例性半导体处理系统包括：处理腔室，所述处理腔室限定处理区域。半导体处理系统可包括前级管道，所述前级管道与处理腔室耦合。前级管道可限定流体导管。半导体处理系统可包括前级管道陷阱，所述前级管道陷阱与前级管道的远端耦合。半导体处理系统可包括可移除插件，在前级管道陷阱的内部内提供所述可移除插件。半导体处理系统可包括节流阀，所述节流阀在可移除插件的下游与前级管道陷阱耦合。

公开(公告)号：CN114930507A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080092245.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马骏 ,  A·班塞尔 ,  T·A·恩古耶

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/26

Abstract: 一种半导体处理的示例性方法，可包括以下步骤：在安置于容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板支撑件上的基板上沉积材料。处理区域可至少部分地由基板支撑件和面板限定。基板支撑件可在处理区域内相对于面板处于第一位置。方法可包括以下步骤：将基板支撑件平移到相对于面板的第二位置。方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成蚀刻剂前驱物的等离子体。方法可包括以下步骤：蚀刻基板的边缘区域。

公开(公告)号：CN101523357B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780037481.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  E·Y·朱科 ,  M·阿优伯 ,  H-J·金 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·拉蒂 ,  D·帕德希 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  A·阿巴亚缇 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德 ,  A·巴利施尼科夫 ,  C·陈 ,  S·刘

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。