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公开(公告)号：CN114981478A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009149.4
申请日：2021-04-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/56 , C23C16/04 , H01L21/02
Abstract: 描述一种用于掺杂阻挡层的方法，所述阻挡层诸如，钽(Ta)、氮化钽(TaN)、碳化钽(TaC)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、锰(Mn)、氮化锰(MnN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)和氮化钼(MoN)、和类似者。掺杂剂可包括钌(Ru)、锰(Mn)、铌(Nb)、钴(Co)、钒(V)、铜(Cu)、铝(Al)、碳(C)、氧(O)、硅(Si)、钼(Mo)和类似者中的一种或多种。经掺杂的阻挡层以小于约的厚度提供了改良的粘附性。
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公开(公告)号：CN114945706A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008851.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯蒂娜·L·恩格勒 , 陈璐
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/34
Abstract: 描述了用于调节处理套件以增加处理套件寿命的方法及装置。形成于处理套件上的氮化物膜被暴露至包含氮及氢自由基调节处理，以调节所述氮化物膜，从而减少来自所述处理套件的颗粒污染。
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公开(公告)号：CN103548116B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280024289.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。
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公开(公告)号：CN103548124B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280024597.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。
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公开(公告)号：CN103548117B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280024572.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02304 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114945706B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202180008851.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯蒂娜·L·恩格勒 , 陈璐
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/34
Abstract: 描述了用于调节处理套件以增加处理套件寿命的方法及装置。形成于处理套件上的氮化物膜被暴露至包含氮及氢自由基调节处理，以调节所述氮化物膜，从而减少来自所述处理套件的颗粒污染。
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公开(公告)号：CN115039216A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180010976.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/32 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/285
Abstract: 公开了用于形成反向选择性蚀刻终止层的方法和装置。本公开内容的一些实施方式提供了比利用非选择性(例如，毯覆)蚀刻终止层的方法具有更低电阻的互连件。本公开内容的一些实施方式在减法蚀刻方案中利用反向选择性蚀刻终止层。本公开内容的一些实施方式通过钝化金属材料的表面来选择性地沉积蚀刻终止层。
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公开(公告)号：CN113795609A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033013.2
申请日：2020-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 揭示了用于在非金属表面上进行选择性沉积的方法。本揭示内容的一些实施方式利用不饱和烃在金属表面上形成阻止层。进行沉积以选择性地沉积于未受阻止的非金属表面上。本揭示内容的一些实施方式涉及形成具减小的电阻的金属过孔的方法。
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公开(公告)号：CN104067374B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280054303.0
申请日：2012-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45574 , C23C16/4558 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593
Abstract: 本文描述根据一个实施例的具有多个气体分配组件的示例性设备。在一个实施例中，该设备包括两个或更多个气体分配组件。每一气体分配组件具有孔，通过所述孔将至少一种工艺气体引入至处理腔室。两个或更多个气体分配组件可被设计为具有互补的特征径向膜生长速率分布。
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公开(公告)号：CN103548124A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024597.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。
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