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公开(公告)号：CN108538695B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201810343864.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本申请涉及衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法。本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部，该衬管组件包含两个或两个以上狭槽，该狭槽在衬管组件上形成，该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板，以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件，可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。
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公开(公告)号：CN107516627B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201710702460.2
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN110945624A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048120.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于等离子体处理的处理工具包括腔室主体、工件支撑件、致动器、气体分配器、电极组件与第一RF电源，腔室主体具有内部空间，内部空间提供等离子体腔室，腔室主体具有顶板以及与顶板相对的一侧上的开口，工件支撑件固持工件，使得工件的前表面的至少一部分面向开口，致动器在腔室主体和工件支撑件之间产生相对运动，使得开口侧向地移动横越过工件，所述气体分配器将处理气体输送到所述等离子体腔室，所述电极组件包含多个共面丝，所述多个共面丝侧向地延伸通过所述工件支撑件和所述顶板之间的所述等离子体腔室，所述多个丝中的各个丝包含导体，所述第一RF电源向所述电极组件的所述导体提供第一RF功率以形成等离子体。
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公开(公告)号：CN103050363B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201210549657.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN101293771B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200710122759.7
申请日：2007-07-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C04B35/50
CPC classification number: C04B35/505 , B32B18/00 , C04B35/486 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/6582 , C04B2235/668 , C04B2235/762 , C04B2235/80 , C04B2235/9669 , H01J37/32467 , H01J37/32504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述物质的组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化钇形成的陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094045A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210548948.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103050362A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210549648.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103035469A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210391087.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN102732857A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210163630.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN1693537A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068280.0
申请日：2005-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/28
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C14/48 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/2001 , H01L21/02126 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/6659 , Y10T29/5313
Abstract: 一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。
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