公开(公告)号：CN111183512B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880064782.1

申请日：2018-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔尔·M·休斯顿 ,  蔡振雄 ,  祖国权

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了基板支撑件和配备所述基板支撑件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑件包括：支撑主体，具有第一表面；一个或多个插孔，延伸穿过第一表面并且进入支撑主体；和一个或多个突起，分别设置在一个或多个插孔中的对应插孔内并且从第一表面突出，其中一个或多个突起在第一表面上方至少部分地限定大体上平坦的支撑表面。还公开了消除背侧晶片损坏的方法。

公开(公告)号：CN111183512A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201880064782.1

申请日：2018-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔尔·M·休斯顿 ,  蔡振雄 ,  祖国权

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了基板支撑件和配备所述基板支撑件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑件包括：支撑主体，具有第一表面；一个或多个插孔，延伸穿过第一表面并且进入支撑主体；和一个或多个突起，分别设置在一个或多个插孔中的对应插孔内并且从第一表面突出，其中一个或多个突起在第一表面上方至少部分地限定大体上平坦的支撑表面。还公开了消除背侧晶片损坏的方法。

公开(公告)号：CN105143502A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480013391.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 利克尔·杜鲁坎 ,  乔尔·M·休斯顿 ,  吴典晔 ,  高建德 ,  张镁

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/6719

Abstract: 本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。

公开(公告)号：CN109616396A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811141783.X

申请日：2014-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔尔·M·休斯顿 ,  阿伦·库瓦尔齐 ,  迈克尔·P·卡拉津 ,  约瑟夫·尤多夫斯凯

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；加热板，该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置；套管，该套管与该室壁相邻且间隔开来设置，该套管由该加热板而受支持；及第一密封性元件，该第一密封性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。

公开(公告)号：CN105143502B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201480013391.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 利克尔·杜鲁坎 ,  乔尔·M·休斯顿 ,  吴典晔 ,  高建德 ,  张镁

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/6719

Abstract: 本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。

公开(公告)号：CN105765103A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480063929.7

申请日：2014-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔尔·M·休斯顿 ,  尼古拉斯·R·丹尼 ,  高建德

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45502 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/67017

Abstract: 本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。

公开(公告)号：CN105493230A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480046535.0

申请日：2014-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔尔·M·休斯顿 ,  阿伦·库瓦尔齐 ,  迈克尔·P·卡拉津 ,  约瑟夫·尤多夫斯凯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724

Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；加热板，该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置；套管，该套管与该室壁相邻且间隔开来设置，该套管由该加热板而受支持；及第一密封性元件，该第一密封性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。