公开(公告)号：CN113608410A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110672856.3

申请日：2021-06-17

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 李亮 ,  韦亚一 ,  张利斌 ,  王云 ,  薛静

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。

公开(公告)号：CN113009789B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202110244338.1

申请日：2021-03-05

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 苏晓菁 ,  叶甜春 ,  韦亚一 ,  粟雅娟 ,  张利斌 ,  王云 ,  薛静

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。

公开(公告)号：CN118131576A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410202207.0

申请日：2024-02-23

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 莫瀚霆 ,  韦亚一 ,  张利斌 ,  仝怡

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质，涉及半导体技术领域。方法包括：获取预设的采样参数；其中，所述采样参数用于表征量测套刻误差时需要采样的曝光场的数量；确定晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征；基于所述几何位置分布特征和所述采样参数，利用集束搜索算法确定量测套刻误差时所要采样的目标曝光场。本发明方案基于晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征确定最终的曝光场采样方案，相比于通过人工随机确定的方式，可以保证确定的待采样曝光场能够均匀的分布在晶圆上，使得选出的目标曝光场具有较好的晶圆代表性。

公开(公告)号：CN118169974A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410202204.7

申请日：2024-02-23

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 仝怡 ,  韦亚一 ,  张利斌

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。方法包括：获取晶圆上各曝光场的套刻误差量测数据；利用套刻误差量测数据确定套刻误差补偿模型的参考修正量；根据晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案；利用晶圆中除候选曝光场外的其他曝光场的套刻误差量测数据，确定套刻误差补偿模型的候选修正量；根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案；将最佳曝光场剔除方案所包括的目标曝光场从晶圆中剔除，返回执行确定候选曝光场剔除方案的操作；根据晶圆中剩余的曝光场，确定最佳曝光场采样方案。本发明可保证采样位置和数量准确性。

公开(公告)号：CN114068379B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202210046398.7

申请日：2022-01-17

Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 刘习军 ,  韦亚一 ,  曾辉 ,  李亮 ,  张利斌 ,  粟雅娟

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。

公开(公告)号：CN113031390A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110274061.7

申请日：2021-03-15

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 杨尚 ,  叶甜春 ,  韦亚一 ,  张利斌 ,  王云 ,  薛静

IPC: G03F1/68 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。