公开(公告)号：CN104064590B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。

公开(公告)号：CN103035683B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210320857.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  牧山刚三 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。

公开(公告)号：CN103715243A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310319658.4

申请日：2013-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部，并且其上形成有开口；以及填充开口的电极，该电极与化合物半导体层接触并且形成在保护绝缘膜上，其中电极与化合物半导体层之间的接触部分的取向状态和电极与保护绝缘膜之间的接触部分的取向状态相同。

公开(公告)号：CN103943676B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310698719.2

申请日：2013-12-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域。

公开(公告)号：CN103151370B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210458928.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H03F3/04

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极。在化合物半导体堆叠结构的表面处形成有在俯视图中位于栅电极与漏电极之间的凹部。

公开(公告)号：CN103035703B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN104064590A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。

公开(公告)号：CN100435355C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN03819984.X

申请日：2003-08-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  野崎耕司

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/0272 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种增厚通过通常的电子束曝光形成的开口并缩小开口尺寸，由此可高效率地制造微细栅电极的方法。本发明的栅电极的制造方法包括：在栅电极形成面上，形成在最下层包含电子束保护层的叠层保护膜的叠层保护膜形成工序；在最下层以外的层形成开口的开口形成工序；在最下层形成栅电极用开口的栅电极用开口形成工序；选择性地缩小栅电极用开口的栅电极用开口缩小工序；在栅电极用开口形成栅电极的栅电极形成工序。优选方式为，栅电极用开口缩小工序是至少进行一次在最下层的表面涂布保护膜图形增厚材料，并使栅电极用开口的开口尺寸缩小的处理的工序，包括在栅电极用开口缩小工序之前，使电子束入射到栅电极用开口的附近的电子束入射工序等。

公开(公告)号：CN104112772B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410116734.6

申请日：2014-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；在衬底之上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；覆盖化合物半导体堆叠结构的钝化膜；在化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及含Si‑C键并且包含源电极与漏电极之间的部分的含Si‑C键的膜。该部分与化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分或者钝化膜的上表面的至少一部分接触。本发明还涉及包括所述化合物半导体器件的一种电源设备和一种放大器。

公开(公告)号：CN103545362B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310284714.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28581 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

Abstract: 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部；以及栅电极，其在保护绝缘膜上形成，其中保护绝缘膜具有第一沟槽和与第一沟槽并列形成的第二沟槽，并且其中在化合物半导体层上残存了仅具有一定预定厚度的保护绝缘膜，以及其中栅电极填充进第一沟槽并且栅电极的一端离开第一沟槽并且至少定位在第二沟槽中。