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公开(公告)号：CN100478780C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1421744A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN102651308B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210042246.6
申请日：2012-02-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/335 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/0272 , H01L21/67057 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。
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公开(公告)号：CN103631102A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310262729.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/422 , G03F7/40 , H01L21/0206 , H01L21/308 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及用于光刻的清洗剂、抗蚀剂图案形成方法以及半导体器件制造方法。特别地，提供了用于光刻的清洗剂，其包含C6-C8直链烷二醇和水。
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公开(公告)号：CN101034256B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101034256A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1311304C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03149913.9
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/11543 , Y10S430/11
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
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公开(公告)号：CN1470946A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03147412.8
申请日：2003-07-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/117 , Y10S430/12 , Y10S430/121 , Y10S430/122
Abstract: 一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。还公开了一种使用它的图案化方法。
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公开(公告)号：CN104062851A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310611191.0
申请日：2013-11-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , C07F7/0838 , G03F7/0043 , G03F7/0382 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和用于形成图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：溶剂；和在所述溶剂中的树脂，所述树脂通过在酸或碱的存在下水解并缩合包含与硅原子或锗原子相结合的烷氧基的含烷氧基化合物来制备，其中利用能量辐射辐照的所述抗蚀剂组合物的一部分在显影液中是不可溶的。
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公开(公告)号：CN103165556A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210410626.0
申请日：2012-10-24
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 今纯一
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/36 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/36 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/5389 , H01L23/564 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/245 , H01L2224/73267 , H01L2224/96 , H01L2924/15788 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件、半导体器件制造方法和电子器件。所述半导体器件包括：绝缘层、设置在绝缘层内的第一半导体元件和第二半导体元件、具有比绝缘层更高的热导率并经由绝缘层围绕第一半导体元件和第二半导体元件的框以及设置在绝缘层上并包括电连接到第一半导体元件和第二半导体元件的电极的布线层。
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