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公开(公告)号：CN106062934A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580010484.0
申请日：2015-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/44
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/00 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/26 , C23F1/30 , H01L21/02019 , H01L21/02381 , H01L29/665 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液。本发明的蚀刻液用于半导体工艺，含有磺酸化合物、卤素离子、硝酸或硝酸根离子、有机阳离子及水。
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公开(公告)号：CN103403845B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280011143.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01G13/00 , C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L28/92
Abstract: 一种形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液，所述方法包括：施用硅蚀刻液于多晶硅膜或非晶硅膜，所述硅蚀刻液含碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶硅膜或所述非晶硅膜的部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN105745739A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480062820.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , G03F7/32 , G03F7/42 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/0035 , B08B9/00 , C11D3/0073 , C11D3/3719 , C11D3/3723 , C11D3/3773 , C11D3/3776 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/823814 , H01L21/823857
Abstract: 一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。
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公开(公告)号：CN104781914A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059067.6
申请日：2013-11-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，在基板的第1层应用含有氢氟酸化合物及氧化剂的蚀刻液而去除第1层。
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公开(公告)号：CN111684575B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201980011921.9
申请日：2019-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
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公开(公告)号：CN115851274A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211059865.6
申请日：2022-08-31
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种Al氧化物的蚀刻能力优异、Ga氧化物的蚀刻能力的抑制性优异、Al氧化物相对于Ga氧化物的蚀刻选择性也优异的药液及使用了上述药液的处理方法。一种药液，其包含磷酸或其盐、非质子性极性溶剂、水及具有羧基且不具有羟基的化合物或其盐，其中，磷酸或其盐的含量相对于药液的总质量为5.0质量％以下，非质子性极性溶剂的含量相对于药液的总质量为50.0质量％以上，水的含量相对于药液的总质量为2.0质量％以上且小于50.0质量％。
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公开(公告)号：CN104813451A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380057885.2
申请日：2013-11-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/00 , H01L21/02063 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定上述第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，使含有氨化合物及氧化剂的pH值7～14的蚀刻液与上述基板接触而去除该第1层。
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公开(公告)号：CN102242025A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110122345.0
申请日：2011-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
Abstract: 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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公开(公告)号：CN102206559A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110078415.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L21/02076 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供不损伤布线结构、层间绝缘结构而能够将半导体基板上的等离子体蚀刻残渣充分除去的洗涤组合物、洗涤方法和使用了上述洗涤组合物的半导体装置的制造方法。提供用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物、洗涤方法以及包含通过上述洗涤组合物洗涤在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的工序的半导体装置的制造方法，所述洗涤组合物的特征在于，含有57～95重量％的(成分a)水、1～40重量％的(成分b)具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、(成分c)有机酸、以及(成分d)季铵化合物，pH为5～10。
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