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公开(公告)号：CN108735692A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810172393.2
申请日：2018-03-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/28
Abstract: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备：由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。
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公开(公告)号：CN118355492A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202380014799.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明抑制焊接半导体模块的端子时的绝缘片的损伤。半导体模块(10A)具备从树脂壳体(11)向外侧延伸的绝缘片(14)、第一端子(13)以及第二端子(15)。第一端子(13)以在俯视时与绝缘片(14)重叠的方式配置于第一面(14a)侧，并具有与第一面(14a)分离的第一前端部(13a)。第二端子(15)以在俯视时与绝缘片(14)和第一端子(13)重叠的方式配置于第二面(14b)侧，并具有与第二面(14b)分离的第二前端部(15a)。绝缘片(14)从树脂壳体(11)延伸至比第一前端部(13a)和第二前端部(15a)更靠外侧的位置。对与绝缘片(14)分离的第一前端部(13a)和第二前端部(15a)进行焊接，抑制在焊接时绝缘片(14)产生损伤。
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公开(公告)号：CN117981063A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202380013536.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明抑制导线发生断线。布线部(63)包括铅直部(64)、平行部(65)以及倾斜部(66)。铅直部(64)的下端部与芯片接合部(61)连接，铅直部(64)的上端部相对于芯片接合部(61)向铅直上方立起。平行部(65)连接于铅直部(64)的上端部，从该上端部起与布线板(43b、43d)以及半导体芯片(50c)呈平行。倾斜部(66)从平行部(65)朝向布线接合部(62)倾斜。即使在这样的引线框架(60)所包含的布线部(63)的平行部(65)的正面接合导线(71b)，也抑制平行部(65)向绝缘电路基板(40)侧产生变形。
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公开(公告)号：CN116093052A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211189281.0
申请日：2022-09-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/64 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供抑制向半导体模块的端子焊接连接部件时的绝缘片的损伤的半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块具备端子层叠部，其具有沿第一方向延伸的绝缘片和配置于其第一面的第一端子。第一端子具有：在俯视时在与第一方向正交的第二方向上具有第一宽度的第一区域；从第一区域延伸且在俯视时在第二方向上具有比第一宽度窄的第二宽度的第二区域；以及与绝缘片分离且与第一区域和第二区域电连接的第三区域。通过将连接部件与第一端子的第三区域焊接，从而抑制该焊接时的热直接传导至绝缘片，抑制绝缘片的损伤、由此造成的绝缘性能的降低、耐压的降低。
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公开(公告)号：CN116013859A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211175188.4
申请日：2022-09-26
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其实现可靠性高的半导体装置。半导体模块(10)(半导体装置)包括壳体(11)、层叠体(16)以及梁部(17)。壳体为框状，在其一边具有凹部(11a)。层叠体具有依次层叠有端子(13)、绝缘片(14)以及端子(15)的结构，并配置于壳体的凹部。梁部(17)固着于壳体的凹部，将配置于该凹部的层叠体固定。壳体、层叠体以及梁部(17)分别分开准备、并组装。由此，避免如将层叠体嵌件成型的情况那样绝缘片(14)与在成型时成为较高温度的壳体树脂材料接触，抑制绝缘片(14)的劣化、以及由此引起的端子(13)与端子(15)之间的绝缘不良，并提高半导体模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN115527973A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210607773.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/04 , H01L21/607
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，提高设置于树脂壳体的端子的接合部与引线的接合强度。半导体装置具备底板和树脂壳体。树脂壳体具有包围内部空间的外周壁以及沿方向D1延伸而将该内部空间分割为多个分区的分隔壁。分隔壁的下端介由粘接剂固定于底板的主面，在侧壁具有平台部，该平台部在比下端更远离主面的位置朝向与主面平行且与方向D1正交的方向D2比下端更向内部空间侧伸出。在平台部配置有与引线接合的端子的接合部。通过将引线的直径相对于接合部的方向D1上的宽度的比设为0.15以下，从而抑制引线的超声波接合时的能量未充分地施加于接合部的情况，并提高它们的接合强度。
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公开(公告)号：CN111699554B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201980011462.4
申请日：2019-07-26
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种冷却器和半导体模块。使用该冷却器和半导体模块，流体的冷却效率高，压力损失低。冷却器(7)冷却半导体元件(1a，1b)，并具有至少由板状散热片(7d1)(顶板)和板状散热片(7d6)(底板)构成的流路部(7d')，在顶板和底板之间形成供流体流动的连续的槽状流路。从与顶板平行且相对于流路交叉的方向观察流路部(7d')时，流路形成为流路的顶板侧的表面及底板侧的表面同步地向顶板侧及底板侧弯折的波形形状。
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公开(公告)号：CN112400228A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980040359.2
申请日：2019-07-03
IPC: H01L23/473 , H01L23/36 , H05K7/20
Abstract: 本发明的散热器包括：底板；与底板重叠的遮盖件；板状的散热片，其从底板在与底板垂直的方向上突出且位于底板与遮盖件之间；第一散热片组，其由在与底板平行的第一方向上空出间隙地排列的多个散热片构成；第二散热片组，其由在第一方向上空出间隙地排列的多个散热片构成，并且相对于第一散热片组在第二方向上空出间隙地相邻，该第二方向与致冷剂的流入方向平行且与第一方向垂直。散热片的长度方向沿第二方向。属于第二散热片组的散热片的第一方向的位置，与属于第一散热片组的散热片的第一方向的位置错开。
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公开(公告)号：CN113169083B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202080006652.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能够防止半导体芯片的劣化，从而能够提高可靠性。半导体装置具备：第一半导体芯片(1)，其在表面具有金属层(1C)；第一布线构件(7)，其与金属层(1C)相向地配置；烧结金属层(4a、4b)，其配置于金属层(1C)与第一布线构件(7)之间，具备第一区域和设置在所述第一区域内部的多个第二区域，其中，各第二区域的拉伸强度比所述第一区域的拉伸强度低；以及金属材料(3)，其配置于烧结金属层(4a、4b)的内部，其中，烧结金属层(4a、4b)的第二区域的拉伸强度比第一半导体芯片(1)的金属层(1C)的拉伸强度低。
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公开(公告)号：CN108735692B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810172393.2
申请日：2018-03-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/28
Abstract: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备：由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。
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