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公开(公告)号：CN117913137A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311068124.9
申请日：2023-08-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有：晶体管部；二极管部；第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的集电区，其设置在所述半导体基板的背面；第一导电型的阴极区，其设置在所述半导体基板的所述背面，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；多个沟槽部，其设置在所述半导体基板的正面；以及寿命控制部，其设置在所述半导体基板，并包含寿命抑制剂，所述寿命控制部具有：主区，其设置在所述二极管部；以及衰减区，其从所述主区起沿着与所述半导体基板的所述正面平行的方向延伸而设置，并且衰减区的寿命抑制剂浓度比所述主区的寿命抑制剂浓度衰减。
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公开(公告)号：CN110770914B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201880035386.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739
Abstract: 提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN110785852B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880035669.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。
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公开(公告)号：CN111834440B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202010115605.0
申请日：2020-02-25
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种改善半导体装置的动态特性的半导体装置。所述半导体装置具备：晶体管，其具有多个栅极构造部；以及二极管部，其在半导体基板的下表面具有阴极区，各栅极构造部具有：栅极沟槽部；第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的基区，在发射区与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，在俯视下，距阴极区的距离最近的栅极构造部的第一阈值比距阴极区的距离最远的栅极构造部的第二阈值低0.1V以上且低1V以下。
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公开(公告)号：CN117096184A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310443037.0
申请日：2023-04-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 提供一种半导体装置，其抑制半导体装置的开关损耗。所述半导体装置具备设置于漂移区与半导体基板的下表面之间的第二导电型的集电区，所述集电区包括第一区和第二区，所述第二区对于所述漂移区的载流子的注入效率低于所述第一区对于漂移区的载流子的注入效率，在将俯视时的所述第一区在所述集电区的单位面积中所占的面积设为S1，将所述第二区的面积设为S2，将所述第一区的所述注入效率设为η1，将所述第二区的所述注入效率设为η2的情况下，由下式给出的平均注入效率ηC为0.1以上且0.4以下：ηC＝(S1×η1+S2×η2)/(S1+S2)。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN108447903B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810151457.0
申请日：2018-02-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，形成有有源部和边缘部；上部电极，设置在半导体基板的上方；绝缘膜，设置在半导体基板与上部电极之间，并形成有接触孔；第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，形成在有源部，并经由接触孔与上部电极连接；第二导电型的阱区，形成在边缘部，并与上部电极分离；以及第二导电型的延长区，从基区向阱区的方向延伸地形成，并通过绝缘膜与上部电极分离，从接触孔的阱区侧的端部到延长区的阱区侧的端部为止的第一距离与从延长区的阱区侧的端部到阱区为止的第二距离之和小于有源部中的半导体基板的厚度。
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公开(公告)号：CN111834440A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010115605.0
申请日：2020-02-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L27/06
Abstract: 本发明提供一种改善半导体装置的动态特性的半导体装置。所述半导体装置具备：晶体管，其具有多个栅极构造部；以及二极管部，其在半导体基板的下表面具有阴极区，各栅极构造部具有：栅极沟槽部；第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的基区，在发射区与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，在俯视下，距阴极区的距离最近的栅极构造部的第一阈值比距阴极区的距离最远的栅极构造部的第二阈值低0.1V以上且低1V以下。
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公开(公告)号：CN110785852A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880035669.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。
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公开(公告)号：CN118216005A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202380014121.9
申请日：2023-05-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；第一导电型的发射区，其与半导体基板的所述上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，其与所述发射区相接地设置；第二导电型的集电区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间；以及第一导电型的浮置区，其与所述集电区的上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述集电区的掺杂浓度高，所述集电区具有未被所述浮置区覆盖的第一区域、以及被所述浮置区覆盖的第二区域。
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