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公开(公告)号：CN114115369B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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公开(公告)号：CN114182341A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119041019B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114182341B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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公开(公告)号：CN114540799A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210145533.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及晶片冷却技术领域，具体提供了一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质，其包括：预抽真空腔；供气装置，安装在所述预抽真空腔上，所述供气装置用于释放吹扫气体；冷却装置，设置在所述预抽真空腔内，用于冷却所述吹扫气体；第一测温装置，用于测量所述晶片的温度；控制器，用于控制所述供气装置释放所述吹扫气体以冷却所述晶片，还用于在所述晶片的温度小于或等于预设的第一阈值时，控制所述冷却装置冷却所述吹扫气体；在不发生晶片翘曲的前提下，通过控制吹扫气体的温度以实现使晶片和与晶片接触的吹扫气体保持一定的温度差，从而提高了预抽真空腔的冷却速率和外延炉的生产效率。
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公开(公告)号：CN114334738A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111658267.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备，用于在外延生长前对衬底进行预热处理，所述用于外延工艺的衬底预热装置包括：基座；衬底取放台，用于装载并固定衬底；衬底加热器，用于对衬底进行预热处理，所述衬底加热器设置在所述衬底上方，所述衬底加热器固定连接在所述基座上；升降驱动组件，用于驱动所述衬底取放台做升降运动，使衬底靠近或远离所述衬底加热器。所述用于外延工艺的衬底预热装置通过将衬底加热器设置在衬底上方，使得衬底加热器发出的热量直接作用于衬底上表面，从而使衬底上表面的温度达到外延工艺的温度要求。
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公开(公告)号：CN113638043A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110936866.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质，其中，系统包括：冷却室，用于放置外延片且内部充满用于对外延片进行吹扫冷却的吹扫气体；气体温度计，用于获取吹扫气体的第一温度信息；温度调节机构；测温计，用于获取外延片的第二温度信息；气体循环机构；控制器，用于控制吹扫气体进行循环流动而对外延片进行循环吹扫冷却，并根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息以使外延片逐渐降温；该系统根据第二温度信息控制温度调节机构调节吹扫气体的第一温度信息，防止吹扫气体和外延片之间的温度差值过大导致外延片冷却时产生范性形变和位错。
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