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公开(公告)号：CN119433517A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411599416.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是一种用于PECVD固定式自连接及分布式匀气系统结构和方法，其包括下腔体、上腔盖和匀气组件，所述下腔体顶部设有开口，所述下腔体内部设有第一气体通道，所述上腔盖盖设在所述开口处，使得所述上腔盖可开启或关闭所述开口，所述上腔盖内部设有第二气体通道，所述第一气体通道和所述第二气体通道形成特气通路，所述匀气组件设置在所述上腔盖的下方，所述匀气组件的进气端与所述第二气体通道的出气端连接。避免了在移除上腔盖的过程中，频繁拆装特气系统的需求，匀气结构从中间馈入局部分散的方式，转变为整体空间的均匀分布，提高了气体分布的一次均匀性，对整体反应气体空间的气体分布性产生了积极的影响。
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公开(公告)号：CN119041019A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN116791198A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310824886.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16 , C23C16/44 , C30B29/36 , C30B25/12 , C23C16/458
Abstract: 本申请属于清洗碳化硅外延炉的技术领域，公开了一种外延炉清洗方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取外延炉反应室中石墨件在清洗前的碳化硅信息，设置外延炉反应室为真空的清洗环境，调节外延炉反应室中石墨托盘的运动状态为旋转状态，利用氩气和三氟化氯气，基于预设的温度范围和预设的压力范围，结合真空的清洗环境和石墨托盘的旋转状态，对外延炉反应室进行清洗，得到清洗后的碳化硅信息，对比清洗前的碳化硅信息和清洗后的碳化硅信息，确定清洗效果，通过设置真空环境、维持石墨托盘的旋转状态和调节对应的温度及压力，利用氩气和三氟化氯气，对外延炉进行清洗，提高了外延炉清洗的效率。
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公开(公告)号：CN115201057A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210564195.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种气体流场均匀性检测系统及方法，其包括：驱动组件；检测盘，其包括承载台、气压传感器和至少一种气体浓度传感器，气压传感器和气体浓度传感器均设置在承载台上，气压传感器用于采集生成气压信息，气体浓度传感器用于采集生成对应的原料气体的浓度信息；控制器，与气压传感器、气体浓度传感器和驱动组件电性连接，用于控制驱动组件间隙性地驱动承载台旋转预设的第一角度，还用于根据气压传感器在不同位置采集生成的气压信息检测混合气体是否均匀，还用于根据气体浓度传感器在不同位置采集生成的浓度信息检测对应的原料气体是否均匀；该系统能够有效地提高外延生长的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN114464708A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210380144.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本申请涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：以N型单晶硅片为衬底，在N型单晶硅片的正面和反面分别形成二氧化硅隧道钝化层；在N型单晶硅片的正面形成宽带隙的N型多晶碳化硅层；在N型单晶硅片的反面形成P型多晶硅层；在N型单晶硅片的正面和反面分别形成掺硼氧化锌层；在N型单晶硅片的正面和反面的掺硼氧化锌层上形成金属电极。本申请所提供的异质结太阳电池的制备方法，无需制绒工序，从而避免了金属离子对电池片的污染以及KOH废液的处理工序，提升异质结太阳电池的性能同时又降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114115369A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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公开(公告)号：CN119041019B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN116623296A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310419900.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法，属于半导体加工领域，将生长外延层的步骤分成了若干个周期，每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程，气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量，且碳源流量为零。气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中，能够周期性地修正反应室中的气氛，全程不会完全中断生长源气流，对台阶流生长模式的影响小，有利于降低外延片缺陷密度，低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果，有利于修复衬底表面缺陷、提升外延层的结晶质量，从而为下一轮高速生长过程提供良好表面作为基础，能进一步减少外延片缺陷。
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公开(公告)号：CN114182341B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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公开(公告)号：CN114934263A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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