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公开(公告)号：CN106908722A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611137589.5
申请日：2016-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/34
CPC classification number: G01R31/34 , G01R31/343
Abstract: 本发明一种开关磁阻电机的相电流故障的诊断方法属于电机电流故障诊断领域，涉及一种开关磁阻电机的相电流故障的诊断方法。诊断方法是通过在微控制器中安装特殊编制的开关磁阻电机控制程序和开关磁阻电机相电流故障诊断程序，利用电流检测单元和位置检测单元提取开关磁阻电机各种状态下的相电流特征值，针对电机所处的不同状态，采取相应的方法进行相电流故障的诊断。诊断方法通过提取不同运行状态下开关磁阻电机的相电流特征值，可以实现全面的开关磁阻电机相电流故障诊断与保护；利用特制的软件实现，算法简单可靠，不需额外增加硬件具有良好的工程应用价值。本发明适用于不同相数、各种结构的开关磁阻电机电流检测故障诊断。
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公开(公告)号：CN119869235A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510060913.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: B01D67/00 , C12N1/20 , B01D71/02 , B01D69/02 , C02F1/00 , C02F1/44 , B01D65/08 , B01J20/20 , B01J20/30 , B01D69/10 , B01D69/12 , C01B32/198 , C12R1/01
Abstract: 本发明属于纳米材料应用技术领域，涉及一种基于调控趋能运动能力减缓氧化石墨烯材料生物污染的方法。本发明通过改变氧化石墨烯材料氧化还原程度、使氧化石墨烯吸附稳定的负趋向金属离子和利用电极作为不溶性电子受体保护三种方式调控细菌的趋能运动行为，减轻细菌通过趋能运动造成氧化石墨烯材料的生物污染，可在实际水处理过程中减缓氧化石墨烯膜材料的生物污染。
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公开(公告)号：CN118710516A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410876309.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06T5/50 , G06T5/60 , G06V10/52 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 一种基于可见光与红外图像多源特征的模态信息融合方法，属于多模态信息融合领域。首先，将可见光图像和红外图像输入多尺度特征提取器进行特征提取；其次，将提取得到的两种模态特征映射输入融合器进行特征融合；最后，将融合后的特征映射输入特征重建器进行特征重整，最终生成融合图像。本发明的多尺度特征提取器能够同时捕捉两个模态图像的局部和全局特征；通过专门设计的融合策略充分整合和利用多尺度特征提取器提取的多尺度特征映射，实现两个模态特征的高效融合，显著增强图像融合效果；通过多尺度特征提取、特征融合和特征重整实现对可见光图像和红外图像的充分融合。本发明充分利用红外模态的热目标显著性和可见光模态的细节丰富性，克服单一模态的局限性，提供更加丰富和准确的图像信息。
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公开(公告)号：CN115245764A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210245583.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种钛氧团簇制备钛基金属有机骨架膜的方法，以钛氧团簇作为金属源，向其中加入有机配体和有机溶剂，采用晶种生长法在多孔载体上制备Ti‑MOF膜。本发明制备的钛基金属有机骨架膜连续致密且拥有良好的分离性能。通过控制反应温度，调控钛氧团簇与配体之间的交换率，控制钛基金属有机骨架膜结构中的配体缺失数目，使钛基金属有机骨架膜拥有高的分离性能。上述操作流程简单、周期短、成本低、普适性强，有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN114415506A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210016251.3
申请日：2022-01-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明提供了一种基于自校正模型的航空发动机双模跟踪预测控制系统设计方法，属于航空航天推进系统控制与仿真技术领域。所述的航空发动机双模跟踪预测控制系统由预测模型、非线性部件级模型、反馈逻辑单元、双模预测控制器和卡尔曼滤波器组成。本发明可以估计航空发动机部件的退化，自动调整用于被控对象线性化和参数反馈的机载模型，并在满足约束的条件下，实现多个被控变量对参考指令的无偏跟踪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993156A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110154048.8
申请日：2021-02-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上底电极、介质层、顶电极、保护层，底电极为透明柔性ITO/PEN，介质层材料为CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz，顶电极为Ag，保护层为Au。步骤：首先，在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，100～120℃下退火处理30～50分钟后在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极及保护层。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺在氮气环境中进行，对设备要求简单，成本低，可用于柔性阻变阵列集成；器件开关次数高达1010次，弯曲次数高达104次，具备稳定的阈值开关选通特性和优异的抗物理弯折能力。
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公开(公告)号：CN109755388B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811616669.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。
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公开(公告)号：CN116467954A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310032803.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 大连理工大学 , 中国航发控制系统研究所
IPC: G06F30/28 , G06F18/2411 , G06F18/214 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于高超声速进气道的流场监测领域，提出一种基于改进支持向量机特征选择的进气道流动状态分类方法。依据典型的高超声速进气道模型，构建进气道流动状态数据集；基于特征选择ReliefF方法，计算特征权重，进行特征初步选择；基于共享最近邻相似度的粒度支持向量机GSVM‑SNN，每次从初步选择的特征中选择两个特征进行共享最近邻相似度的粒度支持向量机训练，保留训练准确率最高的两个特征为最终特征，并将训练得到的分类模型作为决策模型；将决策模型用于测试集，根据测试训练效果，最终得到高超声速进气道的流动状态。
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公开(公告)号：CN112960706B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110283343.3
申请日：2021-03-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种花状磷化钴酸镍材料、制备方法及应用，制备过程中：首先，将葡萄糖溶解于去离子水中，搅拌后放入反应釜中进行水热反应，洗涤、烘干后得到碳纳米球材料；其次，将六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素加入去离子水和无水乙醇的混合溶液中，搅拌后放入反应釜中进行水热反应，洗涤、烘干；最后，将样品、次亚磷酸钠分别置于两个坩埚中，并将其一前一后放在马弗炉中，次亚磷酸钠置于前，通入氮气加热得到花状磷化钴酸镍材料电极材料。经过电化学测试证明，本发明花状磷化钴酸镍材料具有优异的充放电性能和循环稳定性，在70A/g的充放电流下，比电容量为466F/g；具有反应条件容易控制，制备工艺简单，所得产品一致性好的优点，有利于钴酸镍的工业化生产。
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公开(公告)号：CN113224235A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110464306.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法，双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为导电玻璃FTO，即掺氟的SnO2薄膜；阻变层材料为(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3，阻变层材料通过低温溶液旋涂法制得；顶电极为Ag。步骤：首先，在FTO导电玻璃衬底的导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，并涂抹均匀后进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，在90～110℃下退火处理20～40分钟，在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺，一步成膜，对设备要求简单，成本比较低，可用于阻变阵列集成；双向选通器可以实现双向超低阈值电压(小于0.2V)，选通性能开关比大于104，可实现对于RRAM器件开关电压更广的匹配范围与选通能力。
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