公开(公告)号：CN101410969B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200780011319.2

申请日：2007-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  T·J·多尔顿 ,  L·L-C·许 ,  C·J·雷登斯 ,  V·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了用于制造具有高Q片上电容器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，在所述芯片背面上形成所述高Q片上电容器并使用穿晶片互连将所述高Q片上电容器连接到在所述芯片正面上的集成电路。在一方面，半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有正面、背面、和在所述衬底的所述正面与背面之间插入的掩埋绝缘层。在所述半导体衬底的所述正面上形成集成电路，在所述半导体衬底的所述背面上形成集成电容器，以及形成穿过所述掩埋绝缘层的互连结构以将所述集成电容器连接到所述集成电路。

公开(公告)号：CN100583427C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。

公开(公告)号：CN100578810C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200510115133.4

申请日：2005-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  L·克莱文格 ,  O·H·多库马奇 ,  O·格卢斯陈克夫 ,  K·A·库马尔 ,  C·J·拉登斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 一种新颖晶体管结构和用于制造该结构的方法。所述新颖晶体管结构包括第一和第二源极/漏极(S/D)区域，这些区域的上表面低于所述晶体管结构的沟道区域的上表面。用于制造所述晶体管结构的方法开始于平面半导体层和所述半导体层上的栅极叠层。接着，除去所述栅极叠层的相反侧上的所述半导体层的顶部区域。接着，掺杂所述除去的区域之下的区域，以形成所述晶体管结构的降低的S/D区域。

公开(公告)号：CN101410969A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011319.2

申请日：2007-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  T·J·多尔顿 ,  L·L-C·许 ,  C·J·雷登斯 ,  V·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了用于制造具有高Q片上电容器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，在所述芯片背面上形成所述高Q片上电容器并使用穿晶片互连将所述高Q片上电容器连接到在所述芯片正面上的集成电路。在一方面，半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有正面、背面、和在所述衬底的所述正面与背面之间插入的掩埋绝缘层。在所述半导体衬底的所述正面上形成集成电路，在所述半导体衬底的所述背面上形成集成电容器，以及形成穿过所述掩埋绝缘层的互连结构以将所述集成电容器连接到所述集成电路。

公开(公告)号：CN101268549A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。

公开(公告)号：CN1332436C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410048972.4

申请日：2004-06-12

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  A·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·霍恩基斯 ,  S·卡尔多 ,  E·凯塔里奥格鲁 ,  J·沙奇特 ,  K·库马 ,  D·C·拉图利佩 ,  杨志昭 ,  A·H·西蒙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一TiN第一或主要(氮化钛)层以及一TaN(氮化钽)第二或帽盖层。