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公开(公告)号：CN100505236C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710139955.5
申请日：2007-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 詹姆斯·P.·多伊尔 , 布鲁斯·G.·艾尔梅格林 , 利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 , 林仲汉 , 刘小虎 , 丹尼斯·M.·纽恩斯 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1233 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 一种用于集成电路器件中的电可再编程熔丝(eFUSE)器件，包括：延长的加热器元件、包围延长的加热器元件的外表面的，对应于其纵轴的，使延长的加热器元件的相对端与第一和第二加热器电极电接触的电绝缘衬垫。相变材料(PCM)包围电绝缘衬垫的外表面的一部分，热和电绝缘层包围PCM的外表面，并且第一和第二熔丝电极与PCM的相对端电接触。PCM密封在电绝缘衬垫、热和电绝缘层，以及第一和第二熔丝电极中。
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公开(公告)号：CN100421276C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510124682.8
申请日：2005-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H03H11/24
Abstract: 可编程的电可变(EA)电阻器、包括所述EA电阻器的集成电路(IC)芯片以及使用片上EA电阻器的集成模拟电路。相变存储介质形成IC上的电阻器(EA电阻器)，它们可以在并联的EA电阻器的阵列中形成，以便为所述IC上的电路设置可变的电路偏压条件，具体地说，就是片上偏压模拟电路。所述偏置电阻值通过改变EA电阻器相位而改变。所述并联EA电阻器的并联连接可以是动态可变的，数字地切换一个或多个并联电阻器为接通和断开。
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公开(公告)号：CN101620884B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910150841.X
申请日：2009-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046
Abstract: 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间，接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补，则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。
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公开(公告)号：CN101140931B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710146550.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/308 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/823487 , H01L27/088
Abstract: 垂直场效应晶体管半导体结构和制造垂直场效应晶体管半导体结构的方法提供半导体柱的阵列。半导体柱的阵列中的每个半导体柱的每个垂直部分具有大于与邻近半导体柱的分离距离的线宽。可选地，阵列包括具有不同线宽的半导体柱，可选地在上述线宽和分离距离限定的范围中。制造半导体柱的阵列的方法使用在使用作为蚀刻掩模之前环形增加至少一层隔离层的最小光刻尺寸的柱掩模层。
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公开(公告)号：CN101383337B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810129458.1
申请日：2008-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/525 , H01L45/00 , H01L27/24 , G11C16/02 , G11C11/56
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构包括在半导体器件的BEOL级形成的加热器元件，该BEOL级包括低K电介质材料于其中；与加热器元件的第一端电接触的第一通孔和与加热器元件的第二端电接触的第二通孔，从而限定通过第一通孔、加热器元件和第二通孔的编程电流通路；置于加热器元件上的PCM元件，该PCM元件配置成通过使用经过加热器元件的编程电流在较低电阻结晶态与较高电阻非晶态之间编程；以及与PCM元件电接触的第三通孔，从而限定通过第三通孔、PCM元件、加热器元件和第二通孔的读出电流通路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100587994C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810001978.4
申请日：2008-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 龙翔澜 , 林仲汉 , 马修·J.·布雷维什 , 阿里间德罗·G.·施罗特 , 埃里克·A.·约瑟夫 , 罗格·W.·齐克
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 存储单元及制造存储单元的方法，其包括沉积于基片上的绝缘材料、形成于绝缘材料内的底电极、沉积于底电极上并且其中的至少一个充当中间绝缘层的多个绝缘层。通孔被限定于中间绝缘层上的绝缘层内。沟道与牺牲分隔件一起产生，用于刻蚀。孔被限定在中间绝缘层内。除去中间绝缘层上的所有绝缘层，用相变材料填充整个残留的孔。在相变材料上形成上电极。
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公开(公告)号：CN101237024A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710186766.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 阿莱詹德罗·G·施罗特 , 西格弗里德·F·卡格 , 埃里克·A·约瑟夫 , 林仲汉 , 约翰尼斯·G·贝德诺兹
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻性结构；至少两个耦接至所述电阻性结构的电极；以及至少一个蓄氢结构，其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
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公开(公告)号：CN101131989A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710139955.5
申请日：2007-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 詹姆斯·P.·多伊尔 , 布鲁斯·G.·艾尔梅格林 , 利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 , 林仲汉 , 刘小虎 , 丹尼斯·M.·纽恩斯 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1233 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 一种用于集成电路器件中的电可再编程熔丝(eFUSE)器件，包括：延长的加热器元件、包围延长的加热器元件的外表面的，对应于其纵轴的，使延长的加热器元件的相对端与第一和第二加热器电极电接触的电绝缘衬垫。相变材料(PCM)包围电绝缘衬垫的外表面的一部分，热和电绝缘层包围PCM的外表面，并且第一和第二熔丝电极与PCM的相对端电接触。PCM密封在电绝缘衬垫、热和电绝缘层，以及第一和第二熔丝电极中。
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公开(公告)号：CN110178237A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880007224.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 相变存储器阵列以及用于制造相变存储器阵列的方法。相变存储器阵列包括多个底部电极、顶部电极和存储器柱。存储器柱中的每个存储器柱包括由介电壳体围绕的相变材料。相变材料被定位在来自底部电极的相应底部电极和来自顶部电极的相应顶部电极之间并与它们在串联电路中。选择器材料的连续层被定位在存储器柱和多个底部电极之间。选择器材料被配置为仅当跨选择器材料的电压超过电压阈值时导电。
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公开(公告)号：CN103714851A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310455246.3
申请日：2013-09-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种多位电阻测量的方法和电路。一个实例实施例是一种用于确定存储单元的二进制值的方法，所述二进制值由所述存储单元的电阻电平表示。所述方法包括反复将具有不同电容的分路电容器充电，直到选定分路电容器导致所述电压在预定时间范围内通过所述存储单元衰减到参考电压。根据所述选定分路电容器而确定所述存储单元的最高有效位的二进制值。然后将所述选定分路电容器充电到第二电压，并根据所述选定分路电容器处的所述第二电压通过所述存储单元的衰减，确定所述存储单元的最低有效位的二进制值。
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