公开(公告)号：CN100587994C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810001978.4

申请日：2008-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龙翔澜 ,  林仲汉 ,  马修·J.·布雷维什 ,  阿里间德罗·G.·施罗特 ,  埃里克·A.·约瑟夫 ,  罗格·W.·齐克

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 存储单元及制造存储单元的方法，其包括沉积于基片上的绝缘材料、形成于绝缘材料内的底电极、沉积于底电极上并且其中的至少一个充当中间绝缘层的多个绝缘层。通孔被限定于中间绝缘层上的绝缘层内。沟道与牺牲分隔件一起产生，用于刻蚀。孔被限定在中间绝缘层内。除去中间绝缘层上的所有绝缘层，用相变材料填充整个残留的孔。在相变材料上形成上电极。

公开(公告)号：CN101276880A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810001978.4

申请日：2008-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龙翔澜 ,  林仲汉 ,  马修·J.·布雷维什 ,  阿里间德罗·G.·施罗特 ,  埃里克·A.·约瑟夫 ,  罗格·W.·齐克

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 存储单元及制造存储单元的方法，其包括沉积于基片上的绝缘材料、形成于绝缘材料内的底电极、沉积于底电极上并且其中的至少一个充当中间绝缘层的多个绝缘层。通孔被限定于中间绝缘层上的绝缘层内。沟道与牺牲分隔件一起产生，用于刻蚀。孔被限定在中间绝缘层内。除去中间绝缘层上的所有绝缘层，用相变材料填充整个残留的孔。在相变材料上形成上电极。