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公开(公告)号:CN110178237A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201880007224.1
申请日:2018-01-09
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 相变存储器阵列以及用于制造相变存储器阵列的方法。相变存储器阵列包括多个底部电极、顶部电极和存储器柱。存储器柱中的每个存储器柱包括由介电壳体围绕的相变材料。相变材料被定位在来自底部电极的相应底部电极和来自顶部电极的相应顶部电极之间并与它们在串联电路中。选择器材料的连续层被定位在存储器柱和多个底部电极之间。选择器材料被配置为仅当跨选择器材料的电压超过电压阈值时导电。