-
公开(公告)号：CN101237024A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710186766.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 阿莱詹德罗·G·施罗特 , 西格弗里德·F·卡格 , 埃里克·A·约瑟夫 , 林仲汉 , 约翰尼斯·G·贝德诺兹
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻性结构；至少两个耦接至所述电阻性结构的电极；以及至少一个蓄氢结构，其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
-
公开(公告)号：CN101207179B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710153743.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 西格弗里德·F·卡格 , 格哈德·I·梅杰 , 约翰尼斯·G·贝德诺尔兹
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1641 , Y10T29/49 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种存储器单元(10)，包括：电阻结构(1)，和连接至电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中：电阻结构(1)包括氢，和电阻结构(1)包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568532C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710152889.5
申请日：2007-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 西格弗里德·F·卡格
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1266 , H01L45/147
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：至少源电极(MS)，形成在基板上(6)；至少漏电极(MD)，形成在该基板上(6)；至少耦合层(1)，形成在该源电极(MS)和该漏电极(MD)之间，和至少栅电极(MG)，形成在基板上，其中：该耦合层(1)包括过渡金属氧化物，表现出填充受控的金属绝缘体转换特性；该栅电极(MG)包括氧离子导体层(2)，和相对于该耦合层(1)布置该栅电极(MG)使得对该栅电极(MG)使用电信号引起该耦合层(1)中氧空位(3)浓度的改变。本发明还涉及一种存储单元的制造方法。
-
公开(公告)号：CN101207152A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710152889.5
申请日：2007-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 西格弗里德·F·卡格
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1266 , H01L45/147
Abstract: 本发明涉及一种存储单元(10)，包括：至少源电极(MS)，形成在基板上(6)；至少漏电极(MD)，形成在该基板上(6)；至少耦合层(1)，形成在该源电极(MS)和该漏电极(MD)之间，和至少栅电极(MG)，形成在基板上，其中：该耦合层(1)包括过渡金属氧化物，表现出填充受控的金属绝缘体转换特性；该栅电极(MG)包括氧离子导体层(2)，和相对于该耦合层(1)布置该栅电极(MG)使得对该栅电极(MG)使用电信号引起该耦合层(1)中氧空位(3)浓度的改变。本发明还涉及一种存储单元(10)的制造方法。
-
公开(公告)号：CN100580970C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710186766.3
申请日：2007-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 格哈德·I·梅杰 , 阿莱詹德罗·G·施罗特 , 西格弗里德·F·卡格 , 埃里克·A·约瑟夫 , 林仲汉 , 约翰尼斯·G·贝德诺兹
Abstract: 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻性结构；至少两个耦接至所述电阻性结构的电极；以及至少一个蓄氢结构，其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
-
公开(公告)号：CN101207179A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710153743.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 西格弗里德·F·卡格 , 格哈德·I·梅杰 , 约翰尼斯·G·贝德诺尔兹
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1641 , Y10T29/49 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种存储器单元(10)，包括：电阻结构(1)，和连接至电阻结构(1)的至少两个电极(2)，其中：电阻结构(1)包括氢，和电阻结构(1)包括显示出至少10－8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。
-
公开(公告)号：CN1819296A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510108818.6
申请日：2005-09-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 桑托斯·F·阿尔瓦拉多 , 格哈德·I·梅杰 , 乔格·贝德诺兹
IPC: H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0004 , G11C19/00 , G11C2213/31 , H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种存储元件和微电子器件及其制造方法。所述存储元件包括：第一数量的电极和第二数量的导电沟道，所述沟道在两电极子组之间，所述沟道表现出在不同的状态之间可逆转换的电阻，其中，第一数量大于二且第二数量大于第一数量的二分之一。导电沟道可以设置为过渡金属氧化物材料，其表现出可逆转换电阻，其归因于在电极和过渡金属氧化物材料之间的界面处的转换现象。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.021 seconds)
