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公开(公告)号：CN119965001A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510136797.6
申请日：2025-02-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种灵芝多孔碳负载金属氧化物，以灵芝多孔碳作为载体，六水合硝酸镍、六水合硝酸钴、二水合钼酸钠和尿素为原料，通过水热反应和煅烧，即可制得灵芝多孔碳负载金属氧化物NiMoO4/CoMoO4‑CGL，简称为NMO/CMO‑CGL。NMO/CMO‑CGL由非晶态碳、CoMoO4和NiMoO4组成；其微观形貌为蜂窝状多孔结构中存在纳米球结构，其中，纳米球结构为CoMoO4和NiMoO4；比表面积为275‑285m2g‑1。其制备方法包括以下步骤：1，灵芝多孔碳负载金属前驱体的制备；2，灵芝多孔碳负载金属氧化物的制备。作为超级电容器电极材料的应用，当电流密度为1A g‑1时，其比电容的值在802‑812F g‑1；在放电电流密度为10A g‑1，在充放电循环次数为30000圈时，循环稳定性保持为初始比电容的93％‑94％。
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公开(公告)号：CN119674532A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411897468.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信领域，具体涉及一种具有慢波结构的巴特勒矩阵馈电网络，包括基片集成波导和形成在基片集成波导上的巴特勒矩阵馈电网络；巴特勒矩阵馈电网络包括第一3dB耦合器、第二3dB耦合器、第三3dB耦合器、第四3dB耦合器、第一交叉耦合器、第二交叉耦合器、第一45°慢波加载移相器、第二45°慢波加载移相器、第一0°慢波加载移相器、以及第二0°慢波加载移相器。本发明通过在每个移相器中引入一排非辐射横向槽作为相位延迟线，实现了巴特勒矩阵馈电网络结构尺寸的缩减和色散的降低。
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公开(公告)号：CN116282236A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211680431.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PBA‑刻蚀‑煅烧硫化法的镍钴双金属硫化物，以六水合硝酸镍、钴氰化钾、二水合柠檬酸三钠为原料，首先，通过静置陈化法合成Ni‑Co‑PBA，然后，再经过氨水刻蚀处理后获得Ni‑Co‑Etch，最后，通过煅烧硫化即可。其微观形貌呈纳米立方结构，表面粗糙且中心位置向内凹陷，结构疏松，存在大量微孔，粒径尺寸为150‑250nm。其制备方法包括以下步骤：1，Ni‑Co‑PBA的制备；2，Ni‑Co‑PBA的刻蚀；3，Ni‑Co‑Etch的硫化处理。作为超级电容器电极材料的应用，在三电极体系中，比电容为1800‑1900F g‑1；在两电极体系中，功率密度为800‑850W kg‑1时，能量密度为60‑62Wh kg‑1；在10000圈循环后，循环稳定性保持为初始比电容的75‑85%。
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公开(公告)号：CN111046836B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911347833.4
申请日：2019-12-24
Applicant: 杭州电力设备制造有限公司 , 国网浙江杭州市余杭区供电有限公司 , 杭州电子科技大学 , 国网浙江省电力有限公司杭州供电公司
IPC: G06F18/10 , G06F18/213 , G06F17/14 , G06F17/18
Abstract: 本申请公开了一种局放信号的滤波去噪及分析方法，包括：对待处理的局放信号进行滤波；对滤波之后的局放信号进行小波变换去噪；将进行了小波变换去噪之后的局放信号进行差分波峰检测以及局部均值特征分解，得出局放信号的分析结果。应用本申请所提供的技术方案，能够有效地提高局放信号的分析结果的准确性。本申请还提供了一种局放信号的滤波去噪及分析系统、设备以及存储介质，具有相应技术效果。
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公开(公告)号：CN119500274A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411661181.2
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种轻质块状Ru/ZIF‑67/PMF复合材料，以经过聚乙烯醇PVA处理的三聚氰胺泡沫PMF作为载体，在PMF表面生长ZIF‑67制得ZIF‑67/PMF后，再经化学还原法负载Ru纳米粒子，得到宏观块状结构的Ru/ZIF‑67/PMF轻质块状复合材料，可通过控制块体的高度实现可控按需放氢。其制备方法包括以下步骤：1，PMF的制备；2，ZIF‑67/PMF的制备；3，Ru/ZIF‑67/PMF的制备。作为硼氢化钠水解制氢催化剂的应用时，在303K条件下，最大产氢速率为6000‑7000mL·min‑1·g‑1，放氢量为理论值的100％；循环5次后，仍保留初始最大产氢速率的80.7‑91.5％；反应的表观活化能Ea为20.9‑25.3kJ·mol‑1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118388728A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410553731.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了具有纳米花球结构的NCS/DT‑COF，以二氨基蒽醌、三甲酰基间苯三酚、纳米介孔碳球为原材料，以对甲苯磺酸为催化剂，以去离子水为润滑剂，使用物理研磨法制备复合共价有机骨架超级电容器负极材料；具有纳米花球结构，花球大小在100‑500nm；在30‑450℃范围内具有稳定性，在温度高于450℃开始缓慢分解。其制备方法包括以下步骤：1，纳米介孔碳球NCS材料的制备；2，复合材料NCS/DT‑COF的制备。作为超级电容器中负极材料的应用，在‑0.3‑‑1V范围内充放电，当电流密度为1A/g时，比电容为456‑458F/g；在10000次GCD循环后电容保持率为90.0‑91.3％。
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公开(公告)号：CN118335535A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410547969.4
申请日：2024-05-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有P和S双空位镍钴纳米花复合材料，通过两步水热法制备S‑NiCoS，再通过磷化/还原法在S‑NiCoS中引入P空位得到PS‑NiCoS；S‑NiCoS的微观形貌为花状结构；PS‑NiCoS的微观形貌为花状结构，比表面积为66.342m2g‑1，孔径分布为1.4‑12.3nm。其制备方法包括以下步骤：1，S‑NiCoS的制备；2，PS‑NiCoS的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。作为超级电容器电极材料的应用，在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电，在电流密度为1‑2A g‑1时，比电容为1100‑1300F g‑1；在电流密度为5‑15A g‑1时，经过3000‑6000圈循环后保留初始比电容的80‑90％。
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公开(公告)号：CN117936282A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410132821.4
申请日：2024-01-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于废弃灵芝的多孔碳材料，以废弃的灵芝为碳源，采用预碳化与碱溶液处理的方法获得硫脲掺杂的前驱体，再经煅烧可制得多孔碳材料；废弃灵芝多孔碳材料具有大孔和微孔共存的多孔结构，大孔尺寸为2‑3μm，微孔尺寸为1‑2nm。其比表面积为1600‑1610m2g‑1，平均孔径大小为3.00‑3.10nm，孔体积为1.10‑1.20cm2g‑1。其制备方法包括以下步骤：1，废弃灵芝的加工；2，废弃灵芝的预碳化；3，碳化后前驱体的活化；4，活化后前驱体的煅烧。作为超级电容器的电极材料的应用，当电流密度为0.5A g‑1时，比电容为356‑366F g‑1。
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公开(公告)号：CN117855821A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410197035.2
申请日：2024-02-22
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及天线设计技术领域，具体涉及一种基于缺陷地结构的偏置馈电超宽带高增益单极子天线，包括辐射贴片1、介质基板2、金属接地面3、微带馈线4和过渡气泡5；金属接地面3印制在介质基板2下表面，辐射贴片1、微带馈线4和过渡气泡5均印制在介质基板2上表面；辐射贴片1和微带馈线4分别与过渡气泡5连接；本发明提出的半圆形缺陷地结构和通过圆形缺陷地改进的矩形扼流槽结构仅对接地面做出改变，可以在改善天线阻抗特性的同时影响天线的辐射特性，对拓展天线带宽和性能提升有着重要作用。
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公开(公告)号：CN118572389A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410823372.8
申请日：2024-06-25
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及通信技术领域，特别涉及一种太赫兹高增益低剖面介质透镜天线，包括标准波导和锥形喇叭，标准波导和锥形喇叭设置在标准波导的FE‑BI腔体内，信号从标准波导底部的波端口经过锥形喇叭输出到自由空间，其特征在于，还包括第一介质透镜和第二介质透镜，锥形喇叭输出的信号经过第一介质透镜经过第一次折射后到达第二介质透镜进行第二次折射，经过第一介质透镜和第二介质透镜将波端口输出的球面波转换为平面波。本发明可以使得焦点尽可能的靠进透镜，达到一个低剖面的效果，并且天线具有高增益和高口径效率。
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