公开(公告)号：CN114765194A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111020894.7

申请日：2021-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李升展 ,  萧豪毅 ,  杨哲维 ,  陈升照 ,  蔡正原

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例是涉及一种具有包括与背侧表面相对的前侧表面的半导体衬底的图像传感器。多个光检测器设置在半导体衬底中。隔离结构自半导体衬底的背侧表面延伸到半导体衬底中且设置在相邻光检测器之间。隔离结构包含金属芯、设置在半导体衬底与金属芯之间的导电衬层以及设置在导电衬层与半导体衬底之间的第一介电衬层。金属芯包括第一金属材料，且导电衬层包括第一金属材料和与第一金属材料不同的第二金属材料。

公开(公告)号：CN114628257A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110418756.8

申请日：2021-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国铭 ,  李名哲 ,  萧豪毅 ,  周正贤 ,  陈升照 ,  蔡正原

IPC: H01L21/50

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括可形成第一晶片与第二晶片的结合总成，第一晶片包括第一半导体衬底，第二晶片包括第二半导体衬底。可将第二半导体衬底薄化到第一厚度且可在结合总成的外围处形成晶片间壕沟沟槽。可在晶片间壕沟沟槽中以及在第二半导体衬底的后侧表面之上形成保护性材料层。可移除第二半导体衬底的位于晶片间壕沟沟槽外的外围部分，并且保护性材料层的圆柱形部分在侧向上环绕结合总成的其余部分。在保护性材料层的圆柱形部分保护结合总成的其余部分的同时，可通过执行至少一个薄化工艺将第二半导体衬底薄化到第二厚度。

公开(公告)号：CN111668121B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910164096.8

申请日：2019-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国铭 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  李昇展 ,  萧豪毅

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明实施例提供一种晶圆接合结构及其形成方法。晶圆接合结构的形成方法包括形成第一晶圆以及将第二晶圆接合到第一晶圆的接合介电层及接合垫。形成第一晶圆包括以下工艺。提供半导体结构，半导体结构的边缘具有第一塌边区域。形成附加介电层，以填补第一塌边区域。在半导体结构及附加介电层上形成具有开口的接合介电层。形成导电层于接合介电层上并填入开口中，其中在附加介电层上方的导电层具有凸起。进行移除工艺，以移除位于接合介电层上的导电层，余留在开口中的导电层形成接合垫，其中移除工艺包括平坦化工艺，且凸起被平坦化工艺移除。

公开(公告)号：CN222261055U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420465551.4

申请日：2024-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨哲维 ,  吴国铭 ,  陈昇照 ,  蔡正原 ,  萧豪毅 ,  喻中一

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括：第一接合层；基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第一层，在第一接合层和第一集成电路之间，其中第一集成电路与第一集成电路管芯相关联；第二接合层，与第一接合层接合；以及基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第二层，在第二接合层和第二集成电路之间，其中第二集成电路与第二集成电路管芯相关联。所述接合结构可包括增强的黏合性能及增强的减振性能。降低侧向应力、增强黏合性能及减振性能可降低在使两个集成电路管芯中的变薄的减薄操作期间接合界面破裂或剥离的可能性。