公开(公告)号：CN103943487B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310150945.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  蔡腾群 ,  陈继元

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了半导体区的生长中的化学机械抛光。一种方法包括执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分。第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。

公开(公告)号：CN103915345B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310100068.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈继元 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  朱熙甯 ,  陈彦友 ,  栾洪发 ,  江国诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

公开(公告)号：CN103909474A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310084294.6

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  陈继元

IPC: B24B53/017

CPC classification number: B24B55/00 ,  B08B3/02 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光(CMP)站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的内部和垂直表面。将清洁液传送系统配置成作为定期向CMP站的不同表面配给清洁液。