公开(公告)号：CN1892436A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100019.9

申请日：2006-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  游大庆 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。

公开(公告)号：CN109427604A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810768975.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  高振颜 ,  张书豪 ,  徐源甫 ,  陈奕豪 ,  黄得智 ,  王士哲

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开的实施例涉及缺陷检验的方法。在图案部件形成于结构层中之后，填充具有与结构层不同的光学性质的虚设填充材于图案部件中。图案部件中的材料与结构层之间不同的光学性质增加了通过检验工具所捕捉的影像中的对比度，因而增加了缺陷捕捉率。

公开(公告)号：CN107887260A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710174511.9

申请日：2017-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪继正 ,  刘如淦 ,  林纬良 ,  游大庆 ,  严永松 ,  方子韦 ,  高蔡胜 ,  林进祥 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/033

Abstract: 方向性的图案化方法公开于此。例示性的方法包含进行光刻工艺以形成图案化的硬掩模层于晶片上，其中图案化的硬掩模层包含硬掩模结构，其具有相关的水平定义特征。调整蚀刻工艺，以将蚀刻品导入实质上水平的方向(相对于晶片的水平面)，因此蚀刻工艺水平地移除部分图案化的硬掩模层，以调整硬掩模结构的水平定义特征。形成集成电路结构，其对应具有调整后的水平定义特征的硬掩模结构。水平定义的特征可包含长度、宽度、线路边缘粗糙度、线宽粗糙度、线路末端轮廓、其他水平定义特征、或上述的组合。在一些实施例中，方向性的图案化方法可达斜向内连线及/或狭缝状(矩形)的通孔内连线。

公开(公告)号：CN107424954A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710173639.3

申请日：2017-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志壕 ,  游大庆

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807

Abstract: 半导体结构的制造方法包含在导电部件上形成介电层，在介电层上形成具有第一开口的第一掩模。在第一掩模上形成第二掩模，在第二掩模上形成具有第二开口的第三掩模。在第三掩模上形成具有第三开口的第四掩模，第三开口的一部分与第二开口重叠。将第三开口的此部分转移至第二掩模以形成第四开口，第四开口的一部分与第一开口重叠。将第四开口的此部分转移至介电层以形成第五开口。第五开口延伸至介电层中以形成延伸的第五开口，延伸的第五开口暴露出导电部件，将导电材料填入延伸的第五开口。

公开(公告)号：CN1892445B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200610095874.5

申请日：2006-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  柯建州 ,  游大庆

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70341 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用，包括：多转速马达，用以旋转晶片吸盘，该马达可使该吸盘保持在第一转速大于1500rpm，第二转速约介于1500rpm和1000rpm之间，以及第三转速小于1000rpm；以及第一喷嘴，配置于该吸盘上，靠近该吸盘上的晶片边缘，该第一喷嘴用以喷洒溶剂。本发明的所述的半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统避免了因光致刻蚀剂残留物与浸入曝光液和透镜接触而污染曝光液和透镜，也避免了光致刻蚀剂在曝光过程中被污染，并且减少了晶片上形成的缺陷。

公开(公告)号：CN101414131A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170515.0

申请日：2008-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  王宪程 ,  谢弘璋

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70833 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70858

Abstract: 本发明是有关于一种微影制程的曝光装置及方法，该微影制程的曝光装置，至少包括可变聚焦元件。可变聚焦元件可包含在电场存在下可被变形的透明膜。透明膜的变形可允许放射光束的焦距作调整。在一实施例中，可调整可变聚焦元件，藉以提供曝光目标上的第一位置具有第一焦距的放射光束、和提供此曝光目标上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一种微影制程的方法和电脑可读取媒体。