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公开(公告)号：CN101060011B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710002442.X
申请日：2007-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器MRAM阵列中的MRAM存储单元的3-参数切换技术。本发明所揭露的技术是改变MRAM阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干扰。不论是透过增加原写入边界或是增加原干扰边界，本发明所揭露的3-参数切换技术皆可成功的降低意外写入未选取位的机率。本发明所述的数据写入方法，所揭露的3-参数转换技术可改善传统MRAM阵列所产生的总干扰。
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公开(公告)号：CN100476994C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510126142.3
申请日：2005-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，具体涉及一种对于磁性存储单元的写入与读取的非破坏性方法，包括对于对应于受选取的磁性存储单元的受选取的读取线进行取样以获得第一信号，施加磁场至该受选取的磁性存储单元，对于该受选取的读取线进行取样以获得第二信号，比较该第一信号与第二信号以辨别该受选取的磁性存储单元的逻辑状态。本发明所述磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，于读取之后无需再度将原先数据写入受读取的存储单元中，故可避免消耗额外的时间与电源。
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公开(公告)号：CN100401423C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410004285.2
申请日：2004-02-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；二极管，所述二极管第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于二极管的第二极；第一编程线耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流；第二编程线耦接于开关装置；第二选取线耦接于控制闸，用以提供致能信号以导通开关装置。
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公开(公告)号：CN100394580C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610003592.8
申请日：2006-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。
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公开(公告)号：CN1294627C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200310102837.9
申请日：2003-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266
Abstract: 一种遮蔽装置，应用在高能量粒子轰击的工序，此遮蔽装置包含衬底材料和阻挡材料，应用于半导体工序将阻挡材料图案化在衬底材料上，阻挡材料较衬底材料具有较好的高能量粒子阻挡能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1855296A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510126142.3
申请日：2005-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，具体涉及一种对于磁性存储单元的写入与读取的非破坏性方法，包括对于对应于受选取的磁性存储单元的受选取的读取线进行取样以获得第一信号，施加磁场至该受选取的磁性存储单元，对于该受选取的读取线进行取样以获得第二信号，比较该第一信号与第二信号以辨别该受选取的磁性存储单元的逻辑状态。本发明所述磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，于读取之后无需再度将原先数据写入受读取的存储单元中，故可避免消耗额外的时间与电源。
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公开(公告)号：CN1691201A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510066413.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法，其中该磁性随机存取记忆体主要包括磁性穿隧式接面、第一写入线路以及正交于第一写入线路的第二写入线路，且第一写入线路与第二写入线路其中至少一者的宽度小于磁性穿隧式接面的宽度。本发明的写入线路的宽度小于MTJ晶胞质或是守护层，以增加MRAM记忆体阵列的磁场。此外，该方法还可减少因写入线路的不平坦CMP表的宽度，可以有效缩小MRAM记忆体所使用的面积。并且使用环绕的磁性材面而导致元件缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN1577616A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410070909.0
申请日：2004-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/15
Abstract: 本发明提供一种磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、第一自由磁轴层、第二自由磁轴层，以及分别设置于固定磁轴层与第一自由磁轴层之间以及第一与第二自由磁轴层之间的绝缘层。位线是耦接于磁阻式存储单元，用以提供第一磁场。第一编程线与第二编程线分别提供第二磁场与第三磁场以结合第一磁场而分别改变第一自由磁轴层与第二自由磁轴层至少一者的磁轴方向。开关装置是耦接于磁阻式存储单元以及第一编程线与第二编程线的一者之间，具有一控制闸。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置。
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公开(公告)号：CN100461292C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410070909.0
申请日：2004-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/15
Abstract: 本发明提供一种磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、第一自由磁轴层、第二自由磁轴层，以及分别设置于固定磁轴层与第一自由磁轴层之间以及第一与第二自由磁轴层之间的绝缘层。位线是耦接于磁阻式存储单元，用以提供第一磁场。第一编程线与第二编程线分别提供第二磁场与第三磁场以结合第一磁场而分别改变第一自由磁轴层与第二自由磁轴层至少一者的磁轴方向。开关装置是耦接于磁阻式存储单元以及第一编程线与第二编程线的一者之间，具有一控制闸。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置。
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公开(公告)号：CN100419904C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410048321.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：多个磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。共同导电层是用以耦接磁阻式存储单元。多个限流装置分别具有第一极以及第二极，各限流装置的第一极是分别耦接于磁阻式存储单元。开关装置是耦接于共同导电层的一端，并具有一控制闸。多个字元线是分别耦接于限流装置的第二极，用以于执行编程动作时提供第一编程电流以及执行读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于共同导电层的另一端，用以于执行编程动作时提供第二编程电流。第二编程线是耦接于开关装置。选取线是耦接于控制闸，用以提供一致能信号以导通上述开关装置。
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