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公开(公告)号：CN105679906A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610155125.0
申请日：2016-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075
Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本发明通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。
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公开(公告)号：CN217933825U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202222092562.6
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN205542859U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620209079.3
申请日：2016-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/22
Abstract: 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本实用新型通过在ICP刻蚀后的台阶侧面形成周期性或非周期性的凹凸形表面结构，该侧壁微结构可以通过改变到达侧壁的光子的入射角，使更多的光子能够从芯片内出射，减少发生全反射的光子数，或者从另一方面来说，侧壁微结构可以通过改变微结构处的等效折射率，使微结构等效成一种增透结构，令侧壁的透射率更高，从而提升LED的亮度。
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公开(公告)号：CN219321369U
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202320284714.4
申请日：2023-02-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/46 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L25/075
Abstract: 本实用新型提供了一种微型发光元件，通过在非掺杂半导体层表面设置外延叠层，所述外延叠层至少包括沿依次堆叠的第一型半导体层、第二有源区以及第二型半导体层；以及，在所述第二型半导体层上所引出的第二电极和在所述第一型半导体层上所引出的第一电极；且，在所述外延叠层的裸露面设有反射镜。其中，所述非掺杂半导体层设有第一有源区夹层，且在所述非掺杂半导体层上设有光子晶体结构，使所述第二有源区所释放的至少部分光子经反射镜反射被所述第一有源区夹层吸收后，通过所述光子晶体结构沿所述第一有源区夹层的法向射出。
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