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公开(公告)号：CN112951790B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
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公开(公告)号：CN111916496B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010557347.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。
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公开(公告)号：CN113921395A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111190246.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种低损耗IGBT芯片集电极结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述制备方法包括：在IGBT芯片的空间电荷区外的场截止层区域注入氢离子或氦离子，对所述氢离子或氦离子进行退火处理，形成空穴复合层。所述低损耗IGBT芯片集电极结构包括阳极、场截止层和空穴复合层。本发明可实现在降低器件关断损耗的同时，保证器件的漏电、导通压降和短路安全工作区。
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公开(公告)号：CN113013147A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
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公开(公告)号：CN112234055A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011260802.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置；反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。本发明结构中IGBT芯片的结温温升降低约2℃，芯片结温温升的降低，有利于芯片的长期稳定运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916496A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010557347.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。
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公开(公告)号：CN111916495A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010557333.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L2>0；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整的接触窗口，另外接触窗口避开了虚拟沟槽的末端，使得刻蚀接触窗口时不会出现破坏虚拟沟槽结构的情况。
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公开(公告)号：CN112560318B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011530910.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F30/367 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。
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公开(公告)号：CN113707711B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110962213.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法，包括衬底层（1）、主结环（2）和融合电阻环（4），主结环（2）和融合电阻环（4）均内嵌在衬底层（1）表层中，融合电阻环（4）与主结环（2）相邻，主结环（2）和融合电阻环（4）呈跑道状从内向外依次排列；退火推结工艺前主结环（2）和融合电阻环（4）之间有一定距离不接触，退火推结工艺后主结环（2）和融合电阻环（4）向四周扩散并相互接触。结构在主结环和场限环之间设置了一个融合电阻环，融合电阻环将在推结后与主结环融合在一起，增加主结边缘处的电阻以降低电场集中。
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公开(公告)号：CN112560318A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011530910.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F30/367 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。
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