公开(公告)号：CN115602714A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211382652.7

申请日：2022-11-07

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司(CN)

Inventor： 冯会会 ,  李宇柱 ,  郑婷婷 ,  张大华 ,  周东海 ,  叶枫叶 ,  严毅琳 ,  史志扬 ,  高晋文 ,  杨阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT终端及其制造方法，本发明在相邻场限环之间、主结区和第一个场限环之间设置场限环沟槽，利用器件耐压时自然产生的高电位，在场限环沟槽附近引入电子聚集，从而对前一个场限环横向耗尽做截止，可在保证耐压要求的同时有效缩短环与环之间的间距，从而减少IGBT终端面积。

公开(公告)号：CN113921395A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111190246.6

申请日：2021-10-13

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 张大华 ,  高东岳 ,  骆健 ,  董长城 ,  冯会会 ,  叶枫叶 ,  周东海

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种低损耗IGBT芯片集电极结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述制备方法包括：在IGBT芯片的空间电荷区外的场截止层区域注入氢离子或氦离子，对所述氢离子或氦离子进行退火处理，形成空穴复合层。所述低损耗IGBT芯片集电极结构包括阳极、场截止层和空穴复合层。本发明可实现在降低器件关断损耗的同时，保证器件的漏电、导通压降和短路安全工作区。