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公开(公告)号:CN116465844A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310438492.1
申请日:2023-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法,该方法包括:(1)在衬底上生长含量子阱结构的外延层;(2)获得量子阱层的总厚度;(3)将外延片制备成样品,并获得样品中外延层的上、下界面的反射率;(4)测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线,根据外量子效率曲线,分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线;(5)求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径,具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点,避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点,对于器件设计具有重要意义。
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公开(公告)号:CN116404074A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310235069.1
申请日:2023-03-13
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法,对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片,在制备方法上,在衬底上先生长过渡层,进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层,这样能提升材料质量和器件的内量子效率;另外,在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后,去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果,一是在外延被减薄后,LED芯片的纵向尺寸减小,横向尺寸不变,增大了LED芯片正向的出光角,而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层,在侧壁出光占比减小的情况下,LED芯片的正向出光性得到了提升,二是减少了这些部分对发射光的吸收;最终,结合粗化表面,能大幅度提升LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号:CN116314481A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310130572.0
申请日:2023-02-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板,该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片,在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层,通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板,沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底,在键合转移过程中,后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列,实现大量Mini‑LED芯片的精准转移,有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成,可简化后续的封装工艺,制程简单,降低了Mini‑LED的制造成本。
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公开(公告)号:CN111769103B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202010601783.4
申请日:2020-06-29
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元;S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移;S3重复S2,将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术,在发光结构之间形成金属连接层,将不同颜色发光结构连接在一起,实现多色Micro LED的制备,具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号:CN114853456B
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202210398687.3
申请日:2022-04-15
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/115 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种近蓝宝石光学质量的伽马型氧化铝透明纳米晶陶瓷材料的制备方法,属于透明陶瓷材料技术领域。本发明工艺方法以铝盐和硫酸铵为原料配制混合原料溶液,将所配混合原料溶液缓慢滴入碳酸氢铵配制的沉淀剂中,充分反应得到沉淀物,沉淀物洗涤抽滤烘干后经焙烧得到伽马相氧化铝纳米粉体;将制备的纳米粉体装入模具成型素坯,然后送入两面顶压机设备中经两步超高压力烧结即得高透明γ‑Al2O3透明纳米晶陶瓷。本发明所制备的伽马型氧化铝新型透明纳米晶陶瓷材料具有可媲美蓝宝石单晶体的高透过率、高物理化学稳定性和优异力学性能等特性,并且该材料合成周期短,易于实现批量化生产。
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公开(公告)号:CN115084333A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210504290.8
申请日:2022-05-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装式GaN基Micro‑LED显示模组及其制备方法,GaN基Micro‑LED显示模组包括GaN基R/G/B Micro‑LED芯片阵列和电路基板;其中,在电路基板上设有一系列相互垂直但不相交叉的正电极条和负电极条;然后分三次将不同颜色的GaN基Micro‑LED芯片集成到电路基板上,每次集成后去除Micro‑LED芯片的衬底。本发明通过设计特殊的Micro‑LED芯片结构和与其配套的电路基板,有效地解决了采用被动式寻址的Micro‑LED显示器件中金属电极交叉处因钝化困难而造成发光芯片漏电、串色的问题。
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公开(公告)号:CN114855270A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210423243.0
申请日:2022-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58
Abstract: 本发明为一种类分子束外延设备,包括:反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统;其中,气体离化装置为电容耦合等离子源;气体离化装置包括上极板和下极板,其中一极板与外部射频源连接,另一极板接地;束源炉具有金属蒸发区;上极板和下极板之间具有等离子体产生区;金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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公开(公告)号:CN114844564A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202210262654.6
申请日:2022-03-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H04B10/116 , H04B10/516
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED可见光通信光源的调制方法,包括以下步骤:首先,发射端对各单基色的LED输出随机独立的二进制传输数据流,编码模块对二进制传输数据流中的每一位数据进行扩码,将一位数据扩为两位不同的数据,生成新的调制编码。然后,新调制编码加载于多个基色的LED上进行调制,产生多路并行的光信号,光信号经光电转换模块转换为电信号。最后,接收端将所接收的电信号经解调模块解调,输出解调信号,译码模块对解调信号译码,译码按原扩码方式进行反向还原,获得原始二进制传输数据流,输出新的译码。本发明简单易实现,使得单独电路控制的多基色LED合成的白光光源发光颜色亮度趋于稳定,在通信的同时其照明质量能得到有效的保障。
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公开(公告)号:CN114361275A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202111558649.1
申请日:2021-12-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法,包括基底、半导体薄膜、两个电极,基底贴合在半导体薄膜下方,半导体薄膜上左右两端各有一电极,半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜,半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发,电子跃迁到光热电转化层导带边上方,具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子,电极两端形成较稳定的温度梯度,以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场,从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器,本发明不仅简化了制备工艺,缩小了器件体积,降低了大规模集成的难度,还提高了量子效率,缩短了响应时间。
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