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公开(公告)号：CN1362546A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01144332.4
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种获得近化学计量比铌酸锂晶片的方法:利用气相传输平衡(Vaportransport equilibration,简称VTE)技术,在高温、富锂的气氛中,通过锂离子的扩散,使铌酸锂(包括名义纯和掺杂)晶片达到近化学计量比。该技术制作的晶片中Li2O的含量49mol.%以上,可非常接近50mol.%,且均匀性很好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导、频率转换、周期极化、全息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118308791A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410715418.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种掺锑铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的掺锑铌酸锂晶体由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、Sb2O3和MgO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Sb2O3的掺杂摩尔分数为0.50%～2.00%，MgO的掺杂摩尔分数为0.00%～6.00%。本发明制备的掺锑铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比短波长光折变响应时间显著缩短的铋镁双掺铌酸锂晶体，在671 nm激光作用下，响应时间缩短73%，同时抗光损伤能力至少提高了近3倍。
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公开(公告)号：CN113403683B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010184540.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式为Zn2BO3F(NH3)，分子量为225.66，属于六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#Z＝2。该晶体有较宽的透光范围，紫外透过截止边低于200nm，粉末倍频效率约为KDP的0.8倍。该晶体可采用水热法，通过程序降温的方法制备。该晶体可用于制作非线性光学器件，包括倍频发生器、频率转换器以及光参量振荡器。
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公开(公告)号：CN112899781B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110074754.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种铋锌双掺铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的铋锌双掺铌酸锂晶体由纯度为99.99％的LiCO3、Nb2O5、Bi2O3和ZnO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Bi2O3的掺杂摩尔分数为0.50％～1.25％，ZnO的掺杂摩尔分数为5.00％～8.00％。本发明制备的铋锌双掺铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比熟知的名义纯铌酸锂晶体响应时间缩短2个数量级，光折变灵敏度提高2个数量级；相比目前报道最优的铋镁双掺铌酸锂晶体，饱和衍射效率提高12.9％，响应时间缩短10.1％，同时抗光损伤能力提高1个数量级，并且易于生长掺锌浓度可达8.0mol％。
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公开(公告)号：CN109913813A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910236425.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖，之后沉积到衬底上形成薄膜，该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好，但容易出现复杂多晶的问题，限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中，首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长，然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题，操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106929917A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710280810.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
CPC classification number: C30B29/30 , C30B15/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。
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公开(公告)号：CN101275275A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710151176.7
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法。该方法可以制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。其具体过程是，将铌酸锂或钽酸锂晶片和含锂化合物放置在密闭容器中，将密闭容器内部抽真空，使真空度小于0.5帕，并将容器内部保持一定的高温，用高纯氩气调节内部气氛中各种组分的分压，以防止晶片表面出现龟裂。经过长60小时～120小时的处理，获得化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明与传统VTE方法(申请专利号：01144332.4)比较，用含锂化合物代替多晶料，第一可以反复使用，大大降低成本；第二可以提高气氛中的锂含量，从而提高扩散速度，减少扩散时间；第三可以通过氩气来调节气氛中的锂含量，从而可以使用不同蒸气压的含锂化合物。
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公开(公告)号：CN119932499A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510022222.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种局域掺杂铌酸锂薄膜及其制备方法和应用，属于集成光学领域。本方法包括：磁控溅射法在铌酸锂晶片表面局域镀膜、局域镀膜的铌酸锂晶片在缺锂坩埚中进行扩散、利用Smart‑cutting技术制备局域掺杂铌酸锂薄膜。本发明制备方法工艺简单，克服了现有技术无法在铌酸锂晶片表面局部区域定制成膜的问题，还克服了有源无源薄膜拼接时存在的对准、接口损耗等问题。
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公开(公告)号：CN108441824A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810536490.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
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公开(公告)号：CN107059123A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710045195.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料并混合均匀，经预烧与烧结后，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体；将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，采用泡生法或提拉法在熔体中生长四偏磷酸二钾锶晶体。该晶体可用于制作非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块四偏磷酸二钾锶晶体。
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