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公开(公告)号：CN117673276A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211053551.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01M4/1395 , H01M10/0525 , H01M4/04 , C21D9/46 , C22F1/02 , C22F1/16 , C30B1/04 , C30B27/00 , C30B29/02
Abstract: 一种单晶金属锂负极的制备方法，通过在真空或惰性气氛下对水平放置的多晶金属锂箔加热后进行退火处理，得到直接用于电池组装的密堆积面的Li(110)单晶金属锂负极。本发明通过降低金属锂负极表面的自扩散势垒，使金属锂负极的电极反应过程动力学得到显著提升，同时拓宽其安全边界，使其在实用电流密度范围内无枝晶生长；制备得到的单晶金属锂负极可以直接用于电池组装，实现高比能金属锂电池循环稳定性与安全性的显著提升，推动实用化高安全金属锂电池的发展。
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公开(公告)号：CN111344440B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201880067915.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 普林斯顿大学理事会 , 六号元素技术有限公司
Inventor： 娜塔丽·德利昂 , 布朗东·C·罗斯 , 黄鼎 , 张子怀 , 阿列克谢·M·尤里什金 , 索拉维斯·桑塔维辛 , 斯里坎斯·斯里尼瓦桑 , 马修·李·马卡姆 , 安德鲁·马克·埃德蒙兹 , 丹尼尔·J·特维琴 , 斯蒂芬·A·利翁
Abstract: 公开了基于金刚石中的自旋缺陷的合成的金刚石材料，用于量子应用和光学应用，诸如量子信息处理、量子密钥分配、量子中继器和量子传感装置。这包括用于合成和处理金刚石以便生成具有改善的自旋相干特性和光学发射特性的自旋缺陷的方法，以及用于处理金刚石以消除降低这些特性的有害缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN101550602A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910062151.9
申请日：2009-05-19
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种以脱硫石膏为原料的CaSO4晶须及其制备方法。其技术方案是：先将脱硫石膏、水和媒晶剂充分混合，形成悬浊液，其中：脱硫石膏质量浓度为1～8％，媒晶剂质量浓度为5～20％；再在常压、100～128℃和搅拌速率为120～210r/min条件下，或将上述悬浊液搅拌1～3小时，加入悬浊液质量0.5～1％的硫酸钙晶须作为晶种，反应1～3小时，加入改性剂，或将上述悬浊液搅拌3～8小时，直接加入改性剂，改性剂的加入量均为悬浊液质量的0.4～1％，搅拌0.5～1小时；然后经抽滤、洗涤和三段干燥，可获得三种不同类型的硫酸钙晶须。本发明采用常压盐溶液结晶法制备CaSO4晶须，工艺流程短，条件温和，生产成本低，是实现其资源化利用的一种有效途径。
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公开(公告)号：CN114941169A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210615875.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明实施例公开了一种块体单晶镍的无熔融制备方法，包括：将具有等轴晶粒的多晶镍坯料通过挤压成型，得到多晶镍棒；将多晶镍棒进行切割得到镍柱，并进行酸洗，干燥，真空退火处理后得到块体单晶镍。本发明利用无熔融法制备单晶镍，不必加热至熔点以上，节约成本，适合批量生产，此外还有制备单晶纯度高，易于推广等优点，展现出巨大的市场优势，并为大块体单晶镍基合金的制备提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN111344440A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880067915.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 普林斯顿大学
Inventor： 娜塔丽·德利昂 , 布朗东·C·罗斯 , 黄鼎 , 张子怀 , 阿列克谢·M·尤里什金 , 索拉维斯·桑塔维辛 , 斯里坎斯·斯里尼瓦桑 , 马修·李·马卡姆 , 安德鲁·马克·埃德蒙兹 , 丹尼尔·J·特维琴 , 斯蒂芬·A·利翁
Abstract: 公开了基于金刚石中的自旋缺陷的合成的金刚石材料，用于量子应用和光学应用，诸如量子信息处理、量子密钥分配、量子中继器和量子传感装置。这包括用于合成和处理金刚石以便生成具有改善的自旋相干特性和光学发射特性的自旋缺陷的方法，以及用于处理金刚石以消除降低这些特性的有害缺陷的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108588837A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810756815.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 威海圆环先进陶瓷股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶须生产工艺，属于晶须生产技术领域，具体涉及一种制备高模量β-Si3N4晶须的生产工艺；一种制备高模量β-Si3N4晶须的生产工艺，包括原材料准备、制浆、转晶烧结、晶须成品检测和晶须清洗五个步骤。本发明不需要事先压块，直接将反应混合物装入内壁涂有氮化硼的多孔石墨坩埚中，按烧结曲线加热，该反应无环境污染，化学稳定性好、耗能低，产出率接近100%，并且制备工艺成本低廉，无环境污染，耗能低，时间短，工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN103603043A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310628453.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103180490A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051141.0
申请日：2011-10-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的晶体制造方法，包含：进行在原料成分单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，在由单晶构成的晶种基板上形成含有原料成分的膜的成膜处理的同时，进行令含原料的膜直接在规定的单晶化温度下结晶化的结晶化处理的成膜结晶化工序。该成膜结晶化工序中，单晶化温度优选在900℃以上。此外，成膜结晶化工序中，原料粉体及晶种基板优选为氮化物或氧化物。
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公开(公告)号：CN115849426B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211506828.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 桂明生
Inventor： 桂明生
IPC: C01F11/46 , B02C1/02 , B02C23/14 , B07B1/22 , B07B1/28 , B07C5/342 , C30B29/46 , C30B29/62 , C30B1/04
Abstract: 本发明公开了含泥天然石膏净化方法、净化系统、及净化石膏的应用，属于化工技术领域，解决现有技术中天然石膏净化难和其产品附加值低的技术问题。本发明的净化方法包括：S1.干法分离：将干燥的天然石膏破碎后筛分，分离颗粒状石膏与粉状干泥；S2.湿法分离：将石膏颗粒依次经喷雾润湿、浸泡清洗、分筛、晾晒后成为净化石膏颗粒。本发明的含泥天然石膏净化系统包括破碎装置、第一振动筛、清洗提升送料装置、水浸式滚筒筛、第二振动筛、晾晒场和沉淀水槽。本发明的净化方法制得的净化石膏作为硫酸钙晶须原料的应用。本发明结合石膏夹层泥的特性和存在状态，创造性地发明了干破和水洗结合的办法，成功地解决了含泥石膏除杂的问题。
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公开(公告)号：CN116121864A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211717074.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: C30B25/18 , C30B1/04 , C30B29/40 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B27/00 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃‑700℃的温度下，在异质衬底上溅射化合物半导体材料，以得到第一晶圆；对第一晶圆进行次数不少于两次的热处理，以得到热处理成品晶圆，其中，每次热处理的温度比前一次热处理的温度高，第一次热处理的温度高于溅射温度，最后一次热处理温度范围为1300℃‑1800℃；在热处理成品晶圆上沉积化合物半导体材料，以制得半导体单晶材料。由此，化合物半导体材料经过前期低温热处理材质得到了致密化，避免后续进行高温热处理重排形成单晶时因结构松散而出现热分解的问题，以便后续沉积的化合物半导体材料保持单晶状态。
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