-
-
公开(公告)号：CN119780472A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411938717.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计，加速度计以硅基氮化物外延片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、SiO2层，设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻和ICP刻蚀工艺在一根梁的两个区域制备两个LD。由于应力的不同，两个LD的峰值中心会有频差。通电情况下，加速度负载频差会发生变化，由于频差的变化，可以更加稳定，精确的感知加速度的大小。
-
公开(公告)号：CN118890956A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410956325.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于氧化锌/氧化铪射频开关及其制备方法，射频开关以硅基晶片为载体，以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层，用以二硫化钼和氧化锌作为阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、二硫化钼层、氧化锌层、银层、氮化钛层、镍层、铜层。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备射频开关，制备方法工艺简单，成本低。制备的射频开关具有优异的性能和良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114018404B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111158420.9
申请日：2021-09-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种集通信、光谱、传感于一体的微区光学系统。包括主光路及分别与主光路垂直布设的第一支路、第二支路和第三支路；其中，所述主光路包括白色光源、物镜、半透半反镜、聚焦透镜和相机，用于实现成像功能；所述第一支路通过第一可折叠反射镜与主光路相交，用于实现通信测试；所述第二支路通过第二可折叠反射镜与主光路相交，用于实现光谱探测；所述第三支路通过第三可折叠反射镜与主光路相交，用于实现液体透射率传感。该系统可以实现微米级发光二极管的光学成像、光谱采集和透射率传感功能。本发明通过数个可折叠反射镜的折与叠来实现微区光学系统功能的切换，折叠时的反射镜不会对光的通过造成任何影响。
-
公开(公告)号：CN114354557B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210004721.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；相机，位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构，缩小荧光成像装置的体积，简化荧光成像装置的制作流程。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387424A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310465203.7
申请日：2023-04-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/00 , H10N30/30 , H10N30/87 , H10N30/01 , H10N30/071
Abstract: 本发明公开了一种基于压电效应的自供给LED发光芯片及其制备方法，以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层之上全部刻蚀掉，仅保留电极图形及梁下面部分，n型氮化镓层边缘处上方的量子阱层和p型氮化镓层刻蚀掉，n型电极设置在裸露出的n型氮化镓层上侧面上。上面较宽较短的梁用于发光，下面较细较长的梁用于发生强烈的机械振动，从而由于压电效应产生极化电荷，为上面的梁供电。本发明的优势在于无需供电，在静重力的作用下，LED即可发光，便于用在一些不方便连接电子线路的场合。
-
公开(公告)号：CN110957406B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911232774.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动光栅波分复用器件及其制备方法，器件以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层的n型环形电极，两边刻至硅衬底层，等高等宽的光栅结构刻至p型氮化镓层中部。本发明是在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和EBL刻蚀工艺制备电驱动光栅波分复用器件。
-
公开(公告)号：CN114336278A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111443872.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗，利于光电子器件集成，具有高品质低阈值低损耗的优势，其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。
-
公开(公告)号：CN112134140B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010929131.3
申请日：2020-09-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电调控的有源耦合腔激光器，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置。本发明在光激发下通过三个电极的不同组合供电方式给有源腔提供横向和纵向电场，实现对发光模式的调控。
-
公开(公告)号：CN119780471A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411938716.6
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的铟镓氮量子阱光机电微腔加速度计，梁激光二极管以硅基氮化物外延片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、SiO2层，设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻和ICP刻蚀工艺制备微梁应力敏感区LD发光，通电后，在梁的应力敏感区域得到激光LD。通电情况下，加速度负载前后，由于量子限制斯塔克效应，激光的频率波长会发生变化，通过差频会感知加速度的大小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.026 seconds)
