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公开(公告)号：CN112134140A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010929131.3
申请日：2020-09-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电调控的有源耦合腔激光器，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置。本发明在光激发下通过三个电极的不同组合供电方式给有源腔提供横向和纵向电场，实现对发光模式的调控。
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公开(公告)号：CN110957406A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911232774.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动光栅波分复用器件及其制备方法，器件以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层的n型环形电极，两边刻至硅衬底层，等高等宽的光栅结构刻至p型氮化镓层中部。本发明是在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和EBL刻蚀工艺制备电驱动光栅波分复用器件。
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公开(公告)号：CN110957406B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911232774.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动光栅波分复用器件及其制备方法，器件以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层的n型环形电极，两边刻至硅衬底层，等高等宽的光栅结构刻至p型氮化镓层中部。本发明是在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和EBL刻蚀工艺制备电驱动光栅波分复用器件。
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公开(公告)号：CN112134140B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010929131.3
申请日：2020-09-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电调控的有源耦合腔激光器，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置。本发明在光激发下通过三个电极的不同组合供电方式给有源腔提供横向和纵向电场，实现对发光模式的调控。
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