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公开(公告)号：CN110070920B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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公开(公告)号：CN110083964A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910374381.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于四价化合物异质结结构的多尺度仿真算法，包括对四价化合物异质结材料原子层面的建模、材料特性计算等。本发明的主要步骤是：从原子层面对四价化合物异质结进行材料结构建模；分析实例材料空间异质结构，需要考虑范德瓦尔斯力在异质结构中的作用；利用第一性原理对异质结材料特性进行分析，从而得到能带、态密度等特性。本发明结合第一性原理、密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数的系统级多尺度方法，对探究新型四价化合物异质结构二维材料的相关材料性能具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN109300985A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810994852.5
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/775 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L29/42356
Abstract: 本发明公开了一种环形栅结构的单壁MOS2纳米管场效应管，包括导电沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、栅极氧化层(4)、源极(5)、漏极(6)和由金属构成的栅极(7)，所述的导电沟道(1)、源区(2)和漏区(3)采用本征半导体单壁MOS2纳米管制作，并将源区(2)和漏区(3)采用分子或金属离子进行N型重掺杂。此发明不同于通常MOS2场效应管采用的单层平面MOS2结构，采用了以MOS2为材料的单壁纳米管的新型结构，克服了单层平面MOS2通道材料易受到的起皱和滚动的影响，有效应对了边缘效应对器件构成的严重威胁。
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公开(公告)号：CN108564052A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810370279.0
申请日：2018-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了基于MTCNN的多摄像头动态人脸识别系统与方法，适用场景为包括安装在管理区域的多个摄像头监控摄像头，多个监控系统通过摄像头从不同角度采集行人的视频，所有监控系统均通过网络连接到同一服务器并共享服务器的内网；方法包括步骤S1，从不同角度采集行人的视频，并逐帧从视频流中裁剪出脸部帧；步骤S2，采用MTCNN方法来对所有脸部帧提取人脸特征；步骤S3，对提取到的特征进行分类，以实现人脸识别。本发明结合多摄像头和服务器的硬件平台，将深度学习和特征识别应用在监控系统上面，对提高治安管理具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108493250A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810261673.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管，包括非对称线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区均采用黑磷材料制作，在线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区外，生成一层栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管的栅极。本发明源/漏区和沟道之间的带间隧穿显著减少，作为隧穿效应减小的结果，得到了更低的漏电流和更高的开关电流比，并且在固定的开/关电流比率下，非对称线性峰值掺杂结构比起传统结构具有较低的延迟和PDP。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110186979A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910454188.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道的上下表面分别设有栅极氧化层；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。该场效应管用于气体传感器灵敏度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN110070920A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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公开(公告)号：CN108447912A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810258145.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/4958 , H01L29/4983
Abstract: 本发明公开了一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的导电沟道、源区和漏区均采用黑磷材料制作，在所述的导电沟道、源区和漏区外有栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为栅极，所述的栅极采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的黑磷场效应管的异质栅，基于非平衡格林函数的方法，本发明给出了异质栅功函数的分配规则。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低效应。
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公开(公告)号：CN108416256A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810047714.6
申请日：2018-01-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种基于特征识别的家庭云智能监控系统和监控方法，包括人脸识别门禁模块、室内监控模块和私有服务器模块。主要功能有：（1）24小时门禁监控，热释电传感器感知人体靠近，程序自动启动，识别并匹配来访者身份。存储陌生人来访照片，上传至内网服务器，并短信主人手机来访记录。（2）24小时室内监控，家里无人时自动对于室内环境静态训练，一旦识别到家中有非家庭成员出现，系统自动警报。（3）当家庭成员遇到危险情况，向摄像头比划特定手势，系统将自动报警。本发明结合树莓派和服务器的硬件平台，将机器学习和特征识别应用在监控系统上面，对提高家居生活的安全性和智能化具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113298840B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110574981.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于带电作业场景下的多模态物体检测方法、系统、装置及存储介质，其包括：对施工范围内实时获取的二维图像进行语义分割；通过映射关系将语义分割后的二维图像投影至三维模型中；在三维模型中对目标物体进行拟合，并在二维图像中对拟合后的目标物体进行阈值分割；通过映射关系将阈值分割后的目标物体的二维图像投影到三维模型中；通过终端实时显示施工范围内经语义分割和阈值分割后的二维图像和三维模型。本发明能够通过深度学习建立语义分割模型，提高物体检测的准确性和实时性，有效提高了指挥人员监督施工的效率和工人施工的安全性，同时使电力系统部门迈向智能化。
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