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公开(公告)号：CN110211963A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910500369.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/1157 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种MOS存储器，其结构从下至上分别为硅衬底、隧道氧化物层、电荷存储层、栅极氧化层和栅极，所述隧道氧化物层为超薄非对称Al2O3/HfO2的双层结构，所述电荷存储层为四层石墨烯纳米薄片；本发明还公开了基于上述MOS存储器的制备方法。本发明的MOS存储器能够增强存储器的保持能力，同时又保持电荷的保留率，在非易失性存储器设备中具有很大的潜力；其制备方法简单易行，工艺成本低。
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公开(公告)号：CN110070920B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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公开(公告)号：CN110083964A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910374381.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于四价化合物异质结结构的多尺度仿真算法，包括对四价化合物异质结材料原子层面的建模、材料特性计算等。本发明的主要步骤是：从原子层面对四价化合物异质结进行材料结构建模；分析实例材料空间异质结构，需要考虑范德瓦尔斯力在异质结构中的作用；利用第一性原理对异质结材料特性进行分析，从而得到能带、态密度等特性。本发明结合第一性原理、密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数的系统级多尺度方法，对探究新型四价化合物异质结构二维材料的相关材料性能具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110224022A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910504725.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/739 , H01L29/788 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，包括Si/SiO2基底，Si/SiO2基底上表面设有浮栅，所述浮栅上表面一侧设有栅极，另一侧设有二维材料制备的介电层，所述介电层上表面设有二维材料二硫化钼层，所述二硫化钼上表面一侧设有源极，另一侧设有二维材料二碲化钼层，所述二碲化钼上表面设有漏极；一种上述场效应管的制备方法，将浮栅层、介电层、MoS2和MoTe2逐层转移到基底上，再沉积金属电极。本发明所述场效应管显示较高的电流开关比和整流比。
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公开(公告)号：CN110174193A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910432744.3
申请日：2019-05-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种场效应管应变传感器，结构包括隔离层，设置于隔离层上表面的源区、第一沟道层、漏区，所述第一沟道层上表面中部设置栅极氧化层，两侧设置第二沟道层；所述栅极氧化层上设置有栅极，所述漏区一侧设置有漏极，所述源区的一侧设置有源极；所述第一沟道层为拓扑绝缘体，第二沟道层为磁性材料；所述栅极氧化层表面施加一向下的力；所述第二沟道层和向下的力形成FM-strained-FM结，所述FM-strained-FM结与第一沟道层形成FM-strained-FM-TI异质结。本发明的传感器实现了功耗的降低与狄拉克表面态的法布里-珀罗量子干涉领域的探测应用，对于低功率纳米级应变传感器非常实用。
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公开(公告)号：CN110137263A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910454186.0
申请日：2019-05-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/267 , H01L27/11521
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷-氮化硼-二硫化钼异质结构的浮栅场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅区、栅极氧化层、浮栅、势垒层、源极、漏极、栅极；所述栅区、栅极氧化层、浮栅、势垒层、导电沟道依次叠加在一起，源区、漏区设置分别设置在导电沟道的左右两侧，栅区的底部设有栅极；所述浮栅、势垒层、导电沟道依次为二硫化钼、六方氮化硼、黑磷。本发明的浮栅场效应管具有显著的冗余比和耐久性能，可用于高性能的排版存储器和可重构逆变器逻辑电路，在完全基于二维原子晶体的存储器件中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109962162A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910129396.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的过渡金属碳化物膜，顶电极通过掩膜板的开孔溅射在过渡金属碳化物膜的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可有效模拟突触权重的变化，实现模拟突触可塑性的功能，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低。
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公开(公告)号：CN110473904A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910481813.X
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种垂直GeSe/MoS2p-n异质结构，由GeSe层、MoS2层、四个金属电极、SiO2/Si衬底组成；所述的MoS2层位于衬底上，GeSe层与MoS2层垂直异质，GeSe层与MoS2层两端分别与金属电极接触；所述的异质结构利用GeSe中的自然p型掺杂和MoS2中的n型掺杂，创建了所述的新GeSe/MoS2pn异质结，GeSe和MoS2之间的II型能带对准以及这两种材料中的互补自然掺杂可以使垂直隧穿场效应管p-n结突变和缩短屏蔽隧道长度，适用于低功耗应用；在室温下，GeSe/MoS2p-n异质结的IV曲线类似于典型的p-n二极管特性，正向偏压(>100nA)的电流呈指数增加，反向偏压(～1nA)的电流小，具有整流特性。
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公开(公告)号：CN110459608A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910481833.7
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯-二硫化钼异质结构的垂直隧穿晶体管，由上至下依次包括第一石墨烯层、第二石墨烯层、位于第一石墨烯层与第二石墨烯层之间的二硫化钼层、位于第二层石墨烯层下方的六方氮化硼及衬底；本发明使用二硫化钼代替六方氮化硼作为隧道势垒，对垂直隧穿石墨烯场效应晶体管和垂直隧穿石墨烯纳米带场效应晶体管进行了模拟，可以获得较高的开关电流比，传输特性更强，且成本较低，可用于数字应用。
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公开(公告)号：CN110459591A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910482541.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成；所述的顶栅位于上层二氧化硅上端，底栅位于下层二氧化硅下端，黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间，源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧；垂直黑亚磷隧穿场效应管不但能满足国际半导体技术发展路线图低于10nm规模的高功耗的要求，也能满足低功耗应用的要求，并加速基于分层黑亚磷同质结二维隧穿场效应管的实际应用。
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