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公开(公告)号：CN110070920B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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公开(公告)号：CN114695653A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210258731.0
申请日：2022-03-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2Se3‑石墨烯异质结衬底的倾斜磁隧道结存储器，所述存储器的结构由上至下依次包括顶电极、SOT‑MTJ和衬底；所述衬底为Bi2Se3‑石墨烯异质结结构；所述SOT‑MTJ为层状结构，从上至下依次包括参考层、隧穿层、重金属层和自由层，其中，所述参考层和所述自由层均采用CoFeB材料，所述隧穿层采用MgO材料；所述参考层和所述隧穿层之间形成楔形倾斜，所述重金属层和所述自由层之间形成楔形倾斜。本发明的存储器可以通过控制磁易轴稍微偏离z方向，实现电流诱导的无场磁化；通过读写分离，实现了无需外部磁场即可读写的功能。
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公开(公告)号：CN112391085A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011353496.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种喷墨打印用钙钛矿纳米晶墨水及其配制方法，此墨水由第一溶剂、第二溶剂、第三溶剂和分散质混合而成；第一溶剂为低沸点钙钛矿纳米晶的非良溶剂；第二溶剂为高沸点钙钛矿纳米晶的非良溶剂；第三溶剂为钙钛矿纳米晶的良溶剂；分散质为ABX3型钙钛矿纳米晶，其可分散于包含第一溶剂、第二溶剂、第三溶剂的混合溶剂中。本发明构建的混合溶剂体系，可抑制喷墨打印膜层的咖啡环效应，改善打印钙钛矿纳米晶的成膜质量，在印刷显示屏、太阳能电池、防伪图案等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111244267A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010059817.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种采用异质结材料的磁性随机存储器，包括衬底、以及若干呈阵列分布于衬底上的存储单元，各所述存储单元从上至下依次包括顶部金属层、自由层、氧化层、固定层及钉扎层。其中，所述顶部金属层和钉扎层均采用PtMn材料，自由层和固定层均为磁性并采用La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3异质结材料，氧化层采用MgO材料。所述固定层和钉扎层还设有Pt薄膜层。本发明降低磁性随机存储器的功耗，提高稳定性和运行速度。
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公开(公告)号：CN110083964A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910374381.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于四价化合物异质结结构的多尺度仿真算法，包括对四价化合物异质结材料原子层面的建模、材料特性计算等。本发明的主要步骤是：从原子层面对四价化合物异质结进行材料结构建模；分析实例材料空间异质结构，需要考虑范德瓦尔斯力在异质结构中的作用；利用第一性原理对异质结材料特性进行分析，从而得到能带、态密度等特性。本发明结合第一性原理、密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数的系统级多尺度方法，对探究新型四价化合物异质结构二维材料的相关材料性能具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109300985A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810994852.5
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/775 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L29/42356
Abstract: 本发明公开了一种环形栅结构的单壁MOS2纳米管场效应管，包括导电沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、栅极氧化层(4)、源极(5)、漏极(6)和由金属构成的栅极(7)，所述的导电沟道(1)、源区(2)和漏区(3)采用本征半导体单壁MOS2纳米管制作，并将源区(2)和漏区(3)采用分子或金属离子进行N型重掺杂。此发明不同于通常MOS2场效应管采用的单层平面MOS2结构，采用了以MOS2为材料的单壁纳米管的新型结构，克服了单层平面MOS2通道材料易受到的起皱和滚动的影响，有效应对了边缘效应对器件构成的严重威胁。
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公开(公告)号：CN108493250A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810261673.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管，包括非对称线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区均采用黑磷材料制作，在线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区外，生成一层栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管的栅极。本发明源/漏区和沟道之间的带间隧穿显著减少，作为隧穿效应减小的结果，得到了更低的漏电流和更高的开关电流比，并且在固定的开/关电流比率下，非对称线性峰值掺杂结构比起传统结构具有较低的延迟和PDP。
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公开(公告)号：CN106571905A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610943789.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L9/00
CPC classification number: H04L9/008
Abstract: 本发明涉及一种数值型数据同态保序加密方法，采用加密保序融合技术，在单个密文模型中，能够支持在密文上的同态加、乘计算，保持与明文一致的顺序，其中，使用本发明所设计方法对明文进行加密，并在密文分片上构建保序索引，随后将密文发送到不可信的服务器中存储，服务器可以对加密数据进行排序、查询、数据的加和乘的操作，如此，加密结果不仅能够进行加和乘运算，还支持范围查询；随后将加密结果返回给可信端，系统使用解密函数和密钥将密文结果恢复成明文，最终返回给用户，大大提高了数据加密后应用与解密的效率。
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公开(公告)号：CN103094327A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310040690.9
申请日：2013-02-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种线性轻掺杂结构的自旋场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于线性掺杂自旋场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算线性掺杂和普通掺杂策略对自旋场效应管(Spin-FET)电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略的输出特性、转移特性、开关电流比、磁电流率等电学特性对比，发现这种掺杂结构的自旋场效应管具有更大的开关电流比、更高的磁电流率、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明采用线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN113490239B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110784463.1
申请日：2021-07-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04W28/22
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应网络编码的异构无线链路并发传输控制方法，包括：基于A3C构建自适应编码决策模型；确定编码分组大小N和编码分组内数据包冗余大小R；定义两个编码矩阵：原始数据包的编码矩阵和冗余编码矩阵，根据编码分组大小和编码分组内冗余数据包大小，从相应的编码矩阵选择编码系数，编码生成N+R个编码数据包；针对编码生成N+R个编码数据包，基于路径质量对数据包进行分发：在每一次调度分发时，衡量每条路径的质量，选取质量最优的路径将编码的数据包调度到该路径的缓存中。本发明解决了异构无线链路多路径传输存在的乱序问题，有效提升系统吞吐量。
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