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公开(公告)号：CN108447912A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810258145.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/4958 , H01L29/4983
Abstract: 本发明公开了一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的导电沟道、源区和漏区均采用黑磷材料制作，在所述的导电沟道、源区和漏区外有栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为栅极，所述的栅极采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的黑磷场效应管的异质栅，基于非平衡格林函数的方法，本发明给出了异质栅功函数的分配规则。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低效应。
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公开(公告)号：CN109326651A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810994244.4
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/78645 , H01L29/24 , H01L29/78603
Abstract: 本发明公开了一种双栅结构黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、二氧化硅隔离层、硅材料衬底、源极、漏极和第一栅极，所述的导电沟道、源区和漏区为黑磷材料，栅极氧化层在所述导电沟道、源区和漏区上方，第一栅极设置在导电沟道上方栅极氧化层的外表面，在漏区上方栅极氧化层的外表面上设置第二栅极。本发明能够在降低闭态电流，消除短沟道效应的同时，维持较大的导通电流，在未来纳米电子应用领域有着广阔的前景。
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公开(公告)号：CN108428738A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810258144.5
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L29/41725 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种欠叠栅结构的黑磷场效应管，包括：导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、栅电极未覆盖沟道区、源极、漏极、栅极；所述的导电沟道、源区、漏区和栅电极未覆盖沟道区均采用黑磷材料制作，在所述的导电沟道、源区、漏区和栅电极未覆盖沟道区外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为新型欠叠栅结构的黑磷场效应管的栅极，新型欠叠栅结构的黑磷场效应管与传统结构黑磷场效应管相比，具备了很多的优点，具有更低的边缘场电容，更小的固有延迟时间、更短的功率延迟和更高的截止频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428735A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810258143.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/4916
Abstract: 本发明公开了一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；栅极氧化层位于导电沟道、源区、漏区外，栅极氧化层包括高介电常数栅极氧化层和低介电常数栅极氧化层；高介电常数栅极氧化层位于源区及导电沟道靠近源区的部分外；低介电常数栅极氧化层位于漏区及导电沟道靠近漏区的部分外。本发明与具有低介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更高的I on/I off比、跨导、移动电荷和平均速度；与具有高介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更低的量子电容，更小的固有延迟时间和更短的功率延迟。
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公开(公告)号：CN109374712A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201810994851.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: 本发明公开了一种应用于生物传感器的MOS2材料电介质调制场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极和栅极，所述的导电沟道、源区、漏区采用MOS2材料，所述的栅极氧化层内部设置有空腔，栅极氧化层的外表面设置有可供生物分子进出空腔的出入口。本发明能够敏锐感知器件的阈值电压和电流的电特性变化，通过捕捉这些电学特性的变化实现对目标生物分子的探测。
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公开(公告)号：CN108630746A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810384089.4
申请日：2018-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/739 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种梯度掺杂异质材料栅结构的石墨烯隧穿型效应管，沟道分为多个部分，包括梯度掺杂区域。本发明采用量子力学模型，运用非平衡格林函数林函数和泊松（Poisson）方程的自洽求解法，构建了新型多层次梯度掺杂异质金属栅结构隧穿型场效应管的输运模型，利用该模型比较分析梯度掺杂，异质栅结构，隧穿型场效应管的电学特性，主要从亚阈值摆幅、关态电流、开关电流比、迟滞时间，以及电压增益截止频率等方面进行研究。经过仿真研究得知该结构具有较低的泄漏电流与亚阈值摆幅，较大的开关电流比；沟道中的梯度掺杂区域可以减弱沟道中的电场，降低了栅电容，提高了截止频率。
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公开(公告)号：CN109300985A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810994852.5
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/775 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L29/42356
Abstract: 本发明公开了一种环形栅结构的单壁MOS2纳米管场效应管，包括导电沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、栅极氧化层(4)、源极(5)、漏极(6)和由金属构成的栅极(7)，所述的导电沟道(1)、源区(2)和漏区(3)采用本征半导体单壁MOS2纳米管制作，并将源区(2)和漏区(3)采用分子或金属离子进行N型重掺杂。此发明不同于通常MOS2场效应管采用的单层平面MOS2结构，采用了以MOS2为材料的单壁纳米管的新型结构，克服了单层平面MOS2通道材料易受到的起皱和滚动的影响，有效应对了边缘效应对器件构成的严重威胁。
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公开(公告)号：CN108493250A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810261673.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管，包括非对称线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区均采用黑磷材料制作，在线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区外，生成一层栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管的栅极。本发明源/漏区和沟道之间的带间隧穿显著减少，作为隧穿效应减小的结果，得到了更低的漏电流和更高的开关电流比，并且在固定的开/关电流比率下，非对称线性峰值掺杂结构比起传统结构具有较低的延迟和PDP。
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