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公开(公告)号：CN103094327A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310040690.9
申请日：2013-02-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种线性轻掺杂结构的自旋场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于线性掺杂自旋场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算线性掺杂和普通掺杂策略对自旋场效应管(Spin-FET)电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略的输出特性、转移特性、开关电流比、磁电流率等电学特性对比，发现这种掺杂结构的自旋场效应管具有更大的开关电流比、更高的磁电流率、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明采用线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247688B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310141991.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr？dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN105141180A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510589518.8
申请日：2015-09-16
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于分形结构的小型宽带振动换能器及其封装方法，换能器包括由分形结构组成的层体和内部设有电极的框体，其中所述分形结构包括若干根主梁，及具备形状相似性且主谐振频率不同的至少三个换能单元；所述主梁的至少一端与框体固定连接；所述每个换能单元上设有质心以及与主梁或框体固定连接的固定端；所述每个换能单元上由固定端至质心所在的梁视为悬臂梁，其他梁视为质量块；在环境产生振动时，所述各换能单元上的质量块与悬臂梁根据环境振动频率接收振动，以及所述换能单元根据接收的振动获得所受应力且转换成电能；所述框体通过电极将电能引出。本发明能够拓宽频带响应宽度、转换能量高，以及增加单位面积的能量采集密度。
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公开(公告)号：CN103247688A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310141991.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN105406766A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510863481.3
申请日：2015-12-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于分形结构的小型宽带振动换能器，包括若干个换能单元和内部设有电极的框体；其中，所述换能单元包括若干个相互连接的相同的皮亚诺分形曲线分形结构，所述皮亚诺分形曲线分形结构至少有一端与框体固定连接；在环境产生振动时，所述分形结构组成的换能单元根据环境振动频率有选择的接收振动，换能单元根据接收的振动获得所受应力且转换成电能；所述框体通过电极将电能引出。本发明能够拓宽频带响应度、转换能量高。
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公开(公告)号：CN103077965A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310010499.X
申请日：2013-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种新型沟道为硅的一种双栅自旋场效应晶体管，该场效应管包括：位于同一轴线上的半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）、源极（S）和漏极（D），位于半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）外周的栅氧化层（5）、金属栅（6）和栅极（G）；分别在铁磁平行与反平行的情况下，对两种输运下的输出特性、转移特性等电学特性对比分析，发现该器件拥有很高的磁阻比率，并且在铁磁平行条件下，考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小，而在铁磁反平行的条件下，结果则与铁磁平行时的结果相反。
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