公开(公告)号：CN103094327A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310040690.9

申请日：2013-02-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  王燕 ,  张华鑫

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种线性轻掺杂结构的自旋场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于线性掺杂自旋场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算线性掺杂和普通掺杂策略对自旋场效应管(Spin-FET)电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略的输出特性、转移特性、开关电流比、磁电流率等电学特性对比，发现这种掺杂结构的自旋场效应管具有更大的开关电流比、更高的磁电流率、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明采用线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。

公开(公告)号：CN103077965A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310010499.X

申请日：2013-01-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  张华鑫 ,  王燕

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开了一种新型沟道为硅的一种双栅自旋场效应晶体管，该场效应管包括：位于同一轴线上的半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）、源极（S）和漏极（D），位于半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）外周的栅氧化层（5）、金属栅（6）和栅极（G）；分别在铁磁平行与反平行的情况下，对两种输运下的输出特性、转移特性等电学特性对比分析，发现该器件拥有很高的磁阻比率，并且在铁磁平行条件下，考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小，而在铁磁反平行的条件下，结果则与铁磁平行时的结果相反。