-
公开(公告)号：CN104979473A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510347180.5
申请日：2015-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法，该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层，整个器件从上到下依次是：金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底，这一结构的阳极缓冲层既具有较好的绝缘性，同时也可以修饰ITO。通过测量器件电学性质以及相关实验数据，可以判定本器件是一个同时具备存储和整流的稳定有机二极管电存储器件。本发明的优点是，该有机二极管存储器件同时具有存储回滞和可观的整流效应，具有大的开关比整流比，并且施加持续外在电压后也维持较好性能，同时，相比同类型器件结构易于设计，本发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
-
公开(公告)号：CN101702345B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910232491.1
申请日：2009-11-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 叠层石墨烯导电薄膜的制备方法属纳米光电材料科技领域，本发明具体涉及一种60-200度温度下润湿还原氧化石墨烯薄膜与其多次叠加成膜的制备技术。本发明提供的多层叠加还原氧化石墨烯薄膜具有：(1)原材料利用率高；(2)还原温度温和；(3)电导率高；(4)方块电阻低且可控；(5)价格便宜等优点。在有机电致发光显示、有机电存储、人工肌肉等有机光电功能器件中有着广泛应用，有望替代ITO以及导电聚合物薄膜，将成为一种新型导电薄膜，应用于柔性器件。
-
公开(公告)号：CN115884604B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211516563.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(‑0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm‑2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。
-
公开(公告)号：CN118234262A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410350624.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体行业存储技术、有机电子和信息技术领域，尤其涉及一种具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管的制备方法及其应用。所述的具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管从下到上包括栅电极、栅绝缘层、有机光敏电荷俘获层、有机光敏半导体层和源漏电极。与传统的光电晶体管不同，该有机光敏型场效应晶体管通过设计双光敏层结构，成功实现了负光电导现象即在光信号下导电沟道的光电流减小。本发明采用简单的旋涂工艺制备有机光敏电荷俘获层，制备工艺简单，大大降低了器件的制备成本，具有很大的商业价值。本发明将光感，数据存储和计算功能集成在同一器件中，利用负光电导效应实现了非易失性的光电逻辑门。
-
公开(公告)号：CN116693820A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310793367.2
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法。咔唑基聚合物的结构通式为：其中，n为1～100中的自然数，R1选自氢、苯基和烷基链中的任意一种；R2选自氢、具有1到8个碳原子的直链、具有1到8个碳原子的支链、具有1到8个碳原子的环状烷基链和具有1到8个碳原子的烷氧基中的任意一种；选自中的任意一种；选自中的任意一种。本发明提供的咔唑基聚合物分子具有多个活性位点，具有很好的拓展性，可对分子进行多种扩展，提供了一种探寻OFET存储器存在的存储机制与分子结构之间关系的有效途径；同时，咔唑基聚合物的合成方式简单，与COFs、MOFs相比，咔唑基聚合物材料可大面积溶液加工，降低了生产成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115117240A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210794790.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法，本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、有机功能层、无机阻变层非化学计量比氧化物、顶电极金属。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化物。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化物薄膜，实现了单极性电压调控的同时，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
-
公开(公告)号：CN115084367A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210705834.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器，该忆阻器为“三明治”结构，顺次由顶电极、无机阻变功能层和底电极组成，顶电极为金属电极，无机阻变功能层为Cs‑Cu‑I钙钛矿薄膜。该忆阻器的整体制备过程可靠稳定，所得忆阻器具有绿色环保的特点；在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时，在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高，其可利用较低电压实现对器件电流的操控，并实现了稳定可重构的连续脉冲的写入/擦除，为低功耗、神经形态计算提供了有利条件，同时该忆阻器拥有较低功耗，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
-
公开(公告)号：CN114613926A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210242264.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Ce3+掺杂CsPbCl3量子点的电致发光器件及其制备方法，所述电致发光器件采用的发光层材料为Ce3+掺杂CsPbCl3量子点，掺杂浓度分别为2.2％‑9.2％，采用聚乙撑二氧噻吩‑聚(苯乙烯磺酸盐)为空穴注入层、聚(9‑乙烯咔唑)作为空穴传输层、1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯(TPBi)作为电子传输层；LiF/Ag作为顶部电极，经过Ce3+掺杂，可以实现单一卤素钙钛矿量子点的蓝光发射。
-
公开(公告)号：CN114420844A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210061438.5
申请日：2022-01-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了聚合物驻极体有机场效应晶体管存储器在生物突触模拟中的应用，涉及半导体行业存储技术、生物薄膜技术领域和突触可塑类器件领域。所述聚合物驻极体有机场效应晶体管存储器从上到下包括源漏电极、有机半导体层、聚合物驻极体、栅绝缘层、栅电极，所述聚合物驻极体为分子量不同的同一种聚合物。聚合物驻极体是通过简单的旋涂工艺制备平整的薄膜，降低了器件的制备成本，具有很大的商业价值。整个晶体管的性能稳定，工艺简单，并且沟道电流变化对应于生物突触具有高度相似性。
-
公开(公告)号：CN106098942B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.024 seconds)
