公开(公告)号：CN115884604B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202211516563.7

申请日：2022-11-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 邵赫 ,  李粤青 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H10K10/46 ,  H10K85/50 ,  H10K85/10 ,  B82Y15/00 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(‑0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm‑2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。

公开(公告)号：CN114613926A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210242264.2

申请日：2022-03-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 邵赫 ,  李粤青 ,  杨威 ,  王乐 ,  凌海峰

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于Ce3+掺杂CsPbCl3量子点的电致发光器件及其制备方法，所述电致发光器件采用的发光层材料为Ce3+掺杂CsPbCl3量子点，掺杂浓度分别为2.2％‑9.2％，采用聚乙撑二氧噻吩‑聚(苯乙烯磺酸盐)为空穴注入层、聚(9‑乙烯咔唑)作为空穴传输层、1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯(TPBi)作为电子传输层；LiF/Ag作为顶部电极，经过Ce3+掺杂，可以实现单一卤素钙钛矿量子点的蓝光发射。

公开(公告)号：CN115884604A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211516563.7

申请日：2022-11-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 邵赫 ,  李粤青 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H10K10/46 ,  H10K85/50 ,  H10K85/10 ,  B82Y15/00 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(‑0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm‑2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。