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公开(公告)号：CN115884604A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211516563.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(‑0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm‑2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118647257A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410826393.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种低电压的金属氧化物/金属卤化物复合薄膜忆阻器及其制备方法，属于半导体技术和神经形态硬件领域，所述忆阻器从下至上依次包括底电极、金属氧化物薄膜、金属卤化物薄膜、顶电极；所述金属氧化物薄膜和金属卤化物薄膜复合成无机阻变层；所述金属氧化物薄膜为氧化铝薄膜，作为离子传输惰性介质；所述金属卤化物薄膜为碘化铯薄膜，作为离子传输活性介质；所述底电极的材料为金属银，用于外部电源电信号的输入；所述顶电极的材料为金属银，用于与地相连。本发明中所设计的忆阻器能够在不同极性电压调控下同时模拟生物突触塑性以及神经元活动，为进一步神经形态计算提供了可能。
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公开(公告)号：CN115884604B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211516563.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(‑0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm‑2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ，本发明提供的突触晶体管可以在弱光条件下实现低功耗。
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公开(公告)号：CN118234262A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410350624.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体行业存储技术、有机电子和信息技术领域，尤其涉及一种具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管的制备方法及其应用。所述的具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管从下到上包括栅电极、栅绝缘层、有机光敏电荷俘获层、有机光敏半导体层和源漏电极。与传统的光电晶体管不同，该有机光敏型场效应晶体管通过设计双光敏层结构，成功实现了负光电导现象即在光信号下导电沟道的光电流减小。本发明采用简单的旋涂工艺制备有机光敏电荷俘获层，制备工艺简单，大大降低了器件的制备成本，具有很大的商业价值。本发明将光感，数据存储和计算功能集成在同一器件中，利用负光电导效应实现了非易失性的光电逻辑门。
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公开(公告)号：CN115084367A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210705834.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器，该忆阻器为“三明治”结构，顺次由顶电极、无机阻变功能层和底电极组成，顶电极为金属电极，无机阻变功能层为Cs‑Cu‑I钙钛矿薄膜。该忆阻器的整体制备过程可靠稳定，所得忆阻器具有绿色环保的特点；在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时，在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高，其可利用较低电压实现对器件电流的操控，并实现了稳定可重构的连续脉冲的写入/擦除，为低功耗、神经形态计算提供了有利条件，同时该忆阻器拥有较低功耗，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
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公开(公告)号：CN114613926A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210242264.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Ce3+掺杂CsPbCl3量子点的电致发光器件及其制备方法，所述电致发光器件采用的发光层材料为Ce3+掺杂CsPbCl3量子点，掺杂浓度分别为2.2％‑9.2％，采用聚乙撑二氧噻吩‑聚(苯乙烯磺酸盐)为空穴注入层、聚(9‑乙烯咔唑)作为空穴传输层、1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯(TPBi)作为电子传输层；LiF/Ag作为顶部电极，经过Ce3+掺杂，可以实现单一卤素钙钛矿量子点的蓝光发射。
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