-
公开(公告)号：CN118647257A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410826393.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种低电压的金属氧化物/金属卤化物复合薄膜忆阻器及其制备方法，属于半导体技术和神经形态硬件领域，所述忆阻器从下至上依次包括底电极、金属氧化物薄膜、金属卤化物薄膜、顶电极；所述金属氧化物薄膜和金属卤化物薄膜复合成无机阻变层；所述金属氧化物薄膜为氧化铝薄膜，作为离子传输惰性介质；所述金属卤化物薄膜为碘化铯薄膜，作为离子传输活性介质；所述底电极的材料为金属银，用于外部电源电信号的输入；所述顶电极的材料为金属银，用于与地相连。本发明中所设计的忆阻器能够在不同极性电压调控下同时模拟生物突触塑性以及神经元活动，为进一步神经形态计算提供了可能。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
