公开(公告)号：CN116693820A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310793367.2

申请日：2023-06-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张广维 ,  韩秋数 ,  朱金成 ,  郑硕 ,  高展 ,  史乐 ,  卞临沂 ,  凌海峰 ,  崔雅欣

IPC: C08G61/12 ,  H10K10/46 ,  H10K10/80 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明公开了一种咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法。咔唑基聚合物的结构通式为：其中，n为1～100中的自然数，R1选自氢、苯基和烷基链中的任意一种；R2选自氢、具有1到8个碳原子的直链、具有1到8个碳原子的支链、具有1到8个碳原子的环状烷基链和具有1到8个碳原子的烷氧基中的任意一种；选自中的任意一种；选自中的任意一种。本发明提供的咔唑基聚合物分子具有多个活性位点，具有很好的拓展性，可对分子进行多种扩展，提供了一种探寻OFET存储器存在的存储机制与分子结构之间关系的有效途径；同时，咔唑基聚合物的合成方式简单，与COFs、MOFs相比，咔唑基聚合物材料可大面积溶液加工，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN116655593A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310520492.6

申请日：2023-05-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张广维 ,  魏宁 ,  韩秋数 ,  朱金成 ,  史乐 ,  卞临沂 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  黄维

IPC: C07D401/06 ,  H10K85/60 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种基于吖啶酮的有机存储材料、制备方法及其应用，属于有机存储材料技术领域。基于吖啶酮的有机存储材料的结构通式为：其中，n为1‑22，Ar为以下结构式中的任意一种：本发明采用简单、低成本的工艺手段制备有机存储材料，可充当存储器的电荷俘获层，能够将其应用于OFET存储器中，并且具有很好的存储容量和响应速度。

公开(公告)号：CN119136630A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411183766.8

申请日：2024-08-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张广维 ,  朱金成 ,  张玥 ,  张勇 ,  史乐 ,  卞临沂 ,  凌海峰

IPC: H10K85/10 ,  H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本申请公开了一种咔唑衍生物单分子层及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法，涉及于有机存储和信息技术领域，其包括依次设置的源漏电极、半导体层、咔唑衍生物单分子层、栅绝缘层、衬底和栅电极。本申请制备了咔唑衍生物单分子层并将咔唑衍生物单分子层应用在有机场效应晶体管存储器当中，充当器件的电荷俘获层，操作工艺简单、成本低廉，降低了晶体管存储器的制备难度的同时缩短了制备周期，提高了晶体管存储器的存储性能和稳定性。