公开(公告)号：CN118055687A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410099261.7

申请日：2024-01-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 万昌锦 ,  刘斯垚 ,  时凯璐 ,  乔乐生 ,  崔航源 ,  李亚霖 ,  万青

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明涉及存算一体芯片技术领域，特别涉及一种基于光调控忆阻器模拟视觉感受器的制备方法。包括以下步骤，步骤S1：利用ITO玻璃片作为底电极；步骤S2：使用原子层沉积ALD生长ZrOx；步骤S3：使用磁控溅射生长TaOx；步骤S4：使用磁控溅射生长IGZO；步骤S5：使用热蒸发生长Ag作为顶电极。本发明利用IGZO光敏感性，在不同波长光照射后，会导致忆阻器的电压发生变化，从而在同一恒流输入下，不同波长的光照射后产生不同的震荡频率，模拟生物视觉感受器效果更好。

公开(公告)号：CN116002670A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211640738.5

申请日：2022-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 万昌锦 ,  徐明涛 ,  龙昊天 ,  万青

IPC: C01B32/184 ,  B22F1/054 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制备高电导率激光诱导石墨烯材料的方法，包括以下步骤：(1)将高电导率材料掺入聚酰亚胺热塑液中形成混合溶液，将混合溶液涂覆在氧化硅基片上，经过热处理固化后得到复合薄膜；(2)使用激光照射步骤(1)制得的复合薄膜，得到高电导率激光诱导石墨烯材料。本发明通过激光器作用在聚酰亚胺复合薄膜上生成激光诱导石墨烯，所掺入的高电导率材料会在聚酰亚胺转化为激光诱导石墨烯的过程中跟随嵌入激光诱导石墨烯材料中，从而使得所制的激光诱导石墨烯的电导率以及激光诱导石墨烯同高电导率材料之间的粘附性得到大幅度改善。

公开(公告)号：CN112624785A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011232715.1

申请日：2020-11-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱力 ,  万青

IPC: C04B37/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本公开涉及一种氧化物浆料拼接二次烧结制备大尺寸氧化物靶材的方法。该技术的核心工艺是采用氧化物浆料对已经烧结好的小尺寸氧化物陶瓷靶材进行粘结，随后压紧烘干，进行二次高温烧结，可根据需求制备出大尺寸平面和超长环形靶材。该技术的优势在于不仅解决了当今部分企业利用多片小块靶材进行焊接的途径来制造大尺寸靶材所造成的靶材之间存在缝隙从而聚集大量电荷，使靶材易于黑化，进而恶化薄膜透过率，增大薄膜电阻等缺陷；还可以根据市场需求制备不同形状不同尺寸靶材以适应不同的薄膜沉积设备。

公开(公告)号：CN108281490A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810112119.6

申请日：2018-02-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 侯亚辉 ,  邵峰 ,  万青

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/67011 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及其制备装置，制备方法的步骤为，将前驱体溶解于溶剂中、将前躯体的溶液以喷雾形式均匀覆盖在衬底上、使用激光束对覆盖在衬底上的前驱体溶液进行扫描照射，使前驱体溶液热解、固化、使用溶剂将衬底上未固化的区域洗去。本发明解决了现有氧化物薄膜晶体管制备方法工序复杂、成本高昂的问题，适用于大规模生产。

公开(公告)号：CN106910773A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710092398.X

申请日：2017-02-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 万青 ,  万相 ,  杨毅 ,  丰平 ,  邵枫 ,  杜培富

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同耦合至浮栅电极上，继而协同控制沟道输出电流，模拟神经元的加权计算功能。同时，电容记忆层的电容大小随输入栅压信号的历史而变化，模拟突触权重的可塑性。本发明还提出了该多栅极神经元晶体管的制备方法，以及由若干多栅极神经元晶体管相互电连接而成的神经网络。本发明结构简单，便于制备和集成，有望在类脑智能芯片等领域得到应用。

公开(公告)号：CN116171103A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310216955.X

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 万青 ,  王宇远 ,  龙昊天 ,  林鑫煌

IPC: H10N70/20 ,  B23K26/362

Abstract: 本发明介绍了一种忆阻器结构及其制备方法，其中，忆阻器结构包括衬底、下电极、上电极以及介质层；衬底位于下电极底部，介质层位于下电极与上电极之间，介质层和上电极的线条与下电极的线条垂直；其制备方法为使用激光打标机对玻璃上的ITO薄膜进行激光图形化加工，加工后的ITO薄膜作为下电极；再使用磁控溅射技术沉积一层氧化钽薄膜作为介质层；接着使用热蒸镀沉积一层银薄膜，作为上电极；最后再次使用激光打标机对介质层和上电极进行图形化加工。本申请设计的忆阻器制备方法，通过使用激光图形化方法分别对介质层、上电极、下电极进行处理，因此能够制备出不同大小、不同形状的忆阻器。

公开(公告)号：CN114792130A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210478148.0

申请日：2022-05-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 万青 ,  毛惠五

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明介绍了一种具有泄漏‑积分‑发射功能的人工神经元，其包括膜电位积累单元、泄放单元和脉冲产生单元；所述膜电位积累单元与泄放单元相连，所述脉冲产生单元同时与膜电位积累单元、泄放单元相连，所述膜电位积累单元为晶体管；其源端分别与脉冲产生单元的输入端和泄放单元的定值电阻相连，栅极与泄放单元的定值电阻相连，漏端与一个恒定的电压或脉冲端相连；所述脉冲产生单元为易失性阈值转变忆阻器；所述泄放单元由一个定值电阻一端分别连接晶体管的栅极和源极组成；本申请设计的人工神经元实现了模拟脉冲的产生；实现电子元件与CMOS工艺兼容，能够在低电源电压下工作的同时，极大的降低了电路的制备成本，简化集成难度，降低占用面积。