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公开(公告)号：CN116171103A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310216955.X
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京大学
IPC: H10N70/20 , B23K26/362
Abstract: 本发明介绍了一种忆阻器结构及其制备方法，其中，忆阻器结构包括衬底、下电极、上电极以及介质层；衬底位于下电极底部，介质层位于下电极与上电极之间，介质层和上电极的线条与下电极的线条垂直；其制备方法为使用激光打标机对玻璃上的ITO薄膜进行激光图形化加工，加工后的ITO薄膜作为下电极；再使用磁控溅射技术沉积一层氧化钽薄膜作为介质层；接着使用热蒸镀沉积一层银薄膜，作为上电极；最后再次使用激光打标机对介质层和上电极进行图形化加工。本申请设计的忆阻器制备方法，通过使用激光图形化方法分别对介质层、上电极、下电极进行处理，因此能够制备出不同大小、不同形状的忆阻器。
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