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公开(公告)号：CN114093933B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111148165.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管的制备方法。属于半导体行业存储器技术和光探测技术领域，所述铟镓锌氧薄膜晶体管存储器或者光电探测器的结构从上到下依次为源漏电极、沟道层、隧穿绝缘介质层、浮栅层、栅绝缘层、栅电极和衬底。其中沟道层采用的是非晶氧化物，浮栅层采用的是钙钛矿量子点薄膜。本发明可以有效提高器件对于入射光的收集效率，增强光电转换效率，实现大的电流密度和出色的存储特性，在光敏存储器和智能光电感知器等方面有重要的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN117423756A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311166313.X
申请日：2023-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/113 , H01L31/18 , H01L27/144 , B82Y30/00
Abstract: 本发明设计了一种基于氧化物突触晶体管的广色域柔性探测器及其制备方法，其中探测器结构包括柔性衬底、氧化物突触晶体管以及量子点，所述氧化物突触晶体管以同心圆发散的方式均匀分布在柔性衬底上；由内向外发散的第二圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为3nm的CdS量子点；第三圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为5nm的CdSe量子点；第四圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为7nm的CdSe量子点；第五圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为10nm的PbS量子点。通过上述设计，本申请能够检测到紫外、蓝、绿、红以及红外光线，同时由于其平面形状为扇形，通过合并其扇形端点变为圆锥，从而能够实现曲面集成大视角探测，从而以适应各种弯曲和循环条件下的多通道广色域光电探测。
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公开(公告)号：CN112420521A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011233772.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本公开涉及一种基于非晶氧化物半导体浮栅晶体管的神经形态器件的制作方法，该晶体管可以包括源漏电极、沟道、叠层栅介质和栅电极，其中叠层栅介质为三层结构，包括电荷隧穿层、电荷存储层和电荷阻挡层。通过栅电极控制电荷存储层中电荷量的多少来控制源漏电极之间沟道层的电导，也就是调制突触器件的权重。进而将器件集成为交叉阵列结构，加速神经形态计算中的矩阵运算，以降低功耗。该制作方法与目前的大规模集成电路工艺兼容，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN106910773B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201710092398.X
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同耦合至浮栅电极上，继而协同控制沟道输出电流，模拟神经元的加权计算功能。同时，电容记忆层的电容大小随输入栅压信号的历史而变化，模拟突触权重的可塑性。本发明还提出了该多栅极神经元晶体管的制备方法，以及由若干多栅极神经元晶体管相互电连接而成的神经网络。本发明结构简单，便于制备和集成，有望在类脑智能芯片等领域得到应用。
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公开(公告)号：CN109801976A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910047232.5
申请日：2019-01-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/441 , H03K3/3565 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提出本发明提供一种基于双电层薄膜晶体管的施密特触发器及其制备方法。利用双电层晶体管的双电层电容效应及离子弛豫，在双电层晶体管的漏极或源极端串联一个分压电阻，构建简单的施密特触发器电路。所述双电层薄膜晶体管包括从下至上依次层叠设置的衬底、栅电极、栅介质层和半导体层，半导体层上表面还设置有源极和漏极；所述栅介质层为具有离子耦合效应，可以形成双电层电容效应的固态电解质材料。本发明只需要一个双电层晶体管即可实现施密特触发器，减少了电路中晶体管和电阻的数量，降低了工作电压、芯片面积、功耗及电路复杂度。
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公开(公告)号：CN116002670B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202211640738.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/184 , B22F1/054 , C01G15/00 , C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制备高电导率激光诱导石墨烯材料的方法，包括以下步骤：(1)将高电导率材料掺入聚酰亚胺热塑液中形成混合溶液，将混合溶液涂覆在氧化硅基片上，经过热处理固化后得到复合薄膜；(2)使用激光照射步骤(1)制得的复合薄膜，得到高电导率激光诱导石墨烯材料。本发明通过激光器作用在聚酰亚胺复合薄膜上生成激光诱导石墨烯，所掺入的高电导率材料会在聚酰亚胺转化为激光诱导石墨烯的过程中跟随嵌入激光诱导石墨烯材料中，从而使得所制的激光诱导石墨烯的电导率以及激光诱导石墨烯同高电导率材料之间的粘附性得到大幅度改善。
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公开(公告)号：CN114093933A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111148165.X
申请日：2021-09-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管的制备方法。属于半导体行业存储器技术和光探测技术领域，所述铟镓锌氧薄膜晶体管存储器或者光电探测器的结构从上到下依次为源漏电极、沟道层、隧穿绝缘介质层、浮栅层、栅绝缘层、栅电极和衬底。其中沟道层采用的是非晶氧化物，浮栅层采用的是钙钛矿量子点薄膜。本发明可以有效提高器件对于入射光的收集效率，增强光电转换效率，实现大的电流密度和出色的存储特性，在光敏存储器和智能光电感知器等方面有重要的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN112949843A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110187124.5
申请日：2021-02-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多侧栅突触器件的人工感觉神经元结构及其制备方法，该人工感觉神经元结构，包括至少两个用作外力感应的压电纳米发电机以及用于处理至少两个电压输入信号的突触器件，突触器件为双电层晶体管，该双电层晶体管以电解质材料为栅介质、以氧化物半导体为沟道层，且其具有至少两个平面侧栅；每个压电纳米发电机分别电连接至双电层晶体管的一个侧栅上。本发明的人工感觉神经元结构充分发挥了双电层晶体管的平面多侧栅结构和双电层耦合特性，两个甚至两个以上的传感器可以同时连接至一个晶体管的不同侧栅，实现对多种外部信号的感应和处理，突破了传统的人工感觉神经元结构一个突触器件处理一种传感器件信号的局限性。
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公开(公告)号：CN112420521B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011233772.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本公开涉及一种基于顶栅非晶氧化物半导体浮栅晶体管的神经形态器件的制作方法，该晶体管可以包括源漏电极、沟道、叠层栅介质和顶栅电极，其中叠层栅介质为三层结构，包括电荷隧穿层、电荷存储层和电荷阻挡层。顶栅电极可以单独访问每一个浮栅晶体管对其进行读写操作，进而单独控制电荷存储层中的电荷量。通过顶栅电极控制电荷存储层中电荷量的多少来控制源漏电极之间沟道层的电导，也就是调制突触器件的权重。进而将器件集成为交叉阵列结构，加速神经形态计算中的矩阵运算，以降低功耗。该制作方法与目前的大规模集成电路工艺兼容，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN118368906A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410535065.X
申请日：2024-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于忆阻器领域，具体公开了一种基于激光诱导石墨烯的柔性忆阻器及其制备方法，其中，所述柔性忆阻器包括衬底、底电极、介质层和顶电极；所述底电极设置在衬底上；所述介质层设置在底电极上；所述顶电极设置在介质层上；所述衬底为聚酰亚胺薄膜；所述底电极为激光诱导石墨烯电极；所述介质层为聚酰亚胺薄膜；所述顶电极为银薄膜电极；所述底电极的线条与顶电极的线条垂直。本申请设计的柔性忆阻器，在200℃高温测试中也能展现出开关特性，多次弯曲循环后开启电压波动幅度小，具有优异的循环一致性和稳定性，同时在不同外加电流下会出现不同的振荡频率，可应用于人工神经元的构建，进一步促进人工感知系统的发展。
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