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公开(公告)号：CN117423756A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311166313.X
申请日：2023-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/113 , H01L31/18 , H01L27/144 , B82Y30/00
Abstract: 本发明设计了一种基于氧化物突触晶体管的广色域柔性探测器及其制备方法，其中探测器结构包括柔性衬底、氧化物突触晶体管以及量子点，所述氧化物突触晶体管以同心圆发散的方式均匀分布在柔性衬底上；由内向外发散的第二圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为3nm的CdS量子点；第三圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为5nm的CdSe量子点；第四圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为7nm的CdSe量子点；第五圈氧化物突触晶体管上旋涂有直径为10nm的PbS量子点。通过上述设计，本申请能够检测到紫外、蓝、绿、红以及红外光线，同时由于其平面形状为扇形，通过合并其扇形端点变为圆锥，从而能够实现曲面集成大视角探测，从而以适应各种弯曲和循环条件下的多通道广色域光电探测。
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公开(公告)号：CN119235300A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411352818.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 南京大学
IPC: A61B5/11 , G06F18/214 , G06F18/27 , A61B5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于储备池计算晶体管的老年人跌倒检测系统及方法，系统包括人体运动状态监测传感模块、物理储备池计算模块；人体运动状态监测传感模块包括三轴加速度传感器、主控芯片；三轴加速度传感器与主控芯片集成后作为传感端设备，用于实时采集并发送运动过程中的惯性加速度数据；物理储备池计算模块包括双电层晶体管，用作储备池的离子弛豫过程计算。搭建方法包括：S1、搭建基于双电层晶体管的物理储备池计算模块；S2、将三轴加速度传感器与主控芯片集成，搭建人体运动状态监测传感模块；S3、集成人体运动状态监测传感模块与物理储备池计算模块。本设备能够在低能耗的情况下，长时间连续工作，适用于家庭护理环境及养老机构等需要长时间监测的场景。
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公开(公告)号：CN118368906A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410535065.X
申请日：2024-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于忆阻器领域，具体公开了一种基于激光诱导石墨烯的柔性忆阻器及其制备方法，其中，所述柔性忆阻器包括衬底、底电极、介质层和顶电极；所述底电极设置在衬底上；所述介质层设置在底电极上；所述顶电极设置在介质层上；所述衬底为聚酰亚胺薄膜；所述底电极为激光诱导石墨烯电极；所述介质层为聚酰亚胺薄膜；所述顶电极为银薄膜电极；所述底电极的线条与顶电极的线条垂直。本申请设计的柔性忆阻器，在200℃高温测试中也能展现出开关特性，多次弯曲循环后开启电压波动幅度小，具有优异的循环一致性和稳定性，同时在不同外加电流下会出现不同的振荡频率，可应用于人工神经元的构建，进一步促进人工感知系统的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118055687A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410099261.7
申请日：2024-01-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及存算一体芯片技术领域，特别涉及一种基于光调控忆阻器模拟视觉感受器的制备方法。包括以下步骤，步骤S1：利用ITO玻璃片作为底电极；步骤S2：使用原子层沉积ALD生长ZrOx；步骤S3：使用磁控溅射生长TaOx；步骤S4：使用磁控溅射生长IGZO；步骤S5：使用热蒸发生长Ag作为顶电极。本发明利用IGZO光敏感性，在不同波长光照射后，会导致忆阻器的电压发生变化，从而在同一恒流输入下，不同波长的光照射后产生不同的震荡频率，模拟生物视觉感受器效果更好。
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公开(公告)号：CN116002670A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211640738.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/184 , B22F1/054 , C01G15/00 , C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制备高电导率激光诱导石墨烯材料的方法，包括以下步骤：(1)将高电导率材料掺入聚酰亚胺热塑液中形成混合溶液，将混合溶液涂覆在氧化硅基片上，经过热处理固化后得到复合薄膜；(2)使用激光照射步骤(1)制得的复合薄膜，得到高电导率激光诱导石墨烯材料。本发明通过激光器作用在聚酰亚胺复合薄膜上生成激光诱导石墨烯，所掺入的高电导率材料会在聚酰亚胺转化为激光诱导石墨烯的过程中跟随嵌入激光诱导石墨烯材料中，从而使得所制的激光诱导石墨烯的电导率以及激光诱导石墨烯同高电导率材料之间的粘附性得到大幅度改善。
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公开(公告)号：CN119230597B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411759891.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。
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公开(公告)号：CN119230597A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411759891.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。
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公开(公告)号：CN116002670B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202211640738.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: C01B32/184 , B22F1/054 , C01G15/00 , C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制备高电导率激光诱导石墨烯材料的方法，包括以下步骤：(1)将高电导率材料掺入聚酰亚胺热塑液中形成混合溶液，将混合溶液涂覆在氧化硅基片上，经过热处理固化后得到复合薄膜；(2)使用激光照射步骤(1)制得的复合薄膜，得到高电导率激光诱导石墨烯材料。本发明通过激光器作用在聚酰亚胺复合薄膜上生成激光诱导石墨烯，所掺入的高电导率材料会在聚酰亚胺转化为激光诱导石墨烯的过程中跟随嵌入激光诱导石墨烯材料中，从而使得所制的激光诱导石墨烯的电导率以及激光诱导石墨烯同高电导率材料之间的粘附性得到大幅度改善。
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