公开(公告)号：CN114093933A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111148165.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘苏熤 ,  万青

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明公开了一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管的制备方法。属于半导体行业存储器技术和光探测技术领域，所述铟镓锌氧薄膜晶体管存储器或者光电探测器的结构从上到下依次为源漏电极、沟道层、隧穿绝缘介质层、浮栅层、栅绝缘层、栅电极和衬底。其中沟道层采用的是非晶氧化物，浮栅层采用的是钙钛矿量子点薄膜。本发明可以有效提高器件对于入射光的收集效率，增强光电转换效率，实现大的电流密度和出色的存储特性，在光敏存储器和智能光电感知器等方面有重要的潜在应用前景。

公开(公告)号：CN114093933B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202111148165.X

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘苏熤 ,  万青

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明公开了一种含钙钛矿量子点的非晶氧化物浮栅晶体管的制备方法。属于半导体行业存储器技术和光探测技术领域，所述铟镓锌氧薄膜晶体管存储器或者光电探测器的结构从上到下依次为源漏电极、沟道层、隧穿绝缘介质层、浮栅层、栅绝缘层、栅电极和衬底。其中沟道层采用的是非晶氧化物，浮栅层采用的是钙钛矿量子点薄膜。本发明可以有效提高器件对于入射光的收集效率，增强光电转换效率，实现大的电流密度和出色的存储特性，在光敏存储器和智能光电感知器等方面有重要的潜在应用前景。