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公开(公告)号：CN117156956A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311076782.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米半导体材料领域，公开了一种二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结的制备方法，包括(1)以碘化铜作为铜源，铬粉与碘化钾混合作为铬源，将铜源和铬源放置在单温区管式炉下游的石英套管中；碘化铜、铬粉和碘化钾的质量比为(4～6):1:2；(2)将硒粉放置在单温区管式炉上游，通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铜源和铬源反应；反应温度设置为840℃～860℃，保温时间为3～5min，得到二维纯相CuCrSe2产物；(3)在步骤(2)后延长保温时间至至不超过7min，制备得到二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结。本发明中套管限域的设置为反应体系提供较低的前驱体流动速率及稳定的生长环境，共同限制CuCrSe2的面外生长，通过调控保温时间控制相转变的程度合成高质量、纯相的二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结。
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公开(公告)号：CN111392685B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010146784.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备相关技术领域，其公开了一种二维自组装的M1/M2‑VO2同质结纳米片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将V2O5粉末和NaCl颗粒混合获得气相沉积反应源；(2)将所述气相沉积反应源放置于容器内，并将云母衬底倒扣在所述容器的开口处；(3)将所述容器置于预定温度氛围内，使得所述V2O5粉末裂解为VO2前驱体，进而所述VO2前驱体在所述云母衬底上沉积形成二维自组装的M1/M2‑VO2同质结纳米片。本发明降低了反应温度，且避免了衬底发生破坏，同时缩短了气态前驱体输运距离，引入了界面应力调控材料晶相分布，因而尤其适用于高熔点的二维晶体材料晶相可控制备之类的应用场合。
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公开(公告)号：CN115275025A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210772773.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维大面积有机无机杂化钙钛矿及其制备、光电探测器。所述制备方法包括下列步骤：(1)将卤化物前驱体粉末和表面钝化剂分别加热至不同温度，使表面钝化剂吸附于反应源的表面，从而钝化吸附表面钝化剂最多的表面；采用化学气相沉积法，在衬底上生长二维卤化物模板；(2)通过气相转化法，利用含有CH3NH3+或CH(NH2)2+的有机盐进行杂化，将二维卤化物模板转化为有机无机杂化钙钛矿。本发明所制备的杂化钙钛矿尺寸大，单晶片面积最大可达到500微米，薄膜面积为1.5厘米×1.5厘米，质量高，均匀性好。包含本发明所制备的杂化钙钛矿的光电探测器性能优异，响应时间快，其响应时间小于10μs。
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公开(公告)号：CN111834622B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010713446.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有补锂/钠功能的多层正极片、电池及制备方法，其属于储能器件领域，其包括集流体、正极材料层和补锂/钠材料层，在集流体两侧均对称设置有正极材料层和补锂/钠材料层，正极材料层和补锂/钠材料层层叠，补锂/钠材料层中包含有特殊的含锂/钠的功能材料，其在正极第一次充电时发生自身的分解反应从而不可逆地释放出其分子中的锂/钠离子到电池中，释放后的锂/钠离子经由电解液补充到电池的负极中，以解决现有大容量负极材料首次充放电库仑效率低而导致全电池性能差的问题。本发明的复合正极片能在锂/钠离子全电池中对负极高效补锂/钠、且对正极材料和全电池无不利影响，能提高电池的能量密度和正极材料利用率、从而能降低电池成本。
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公开(公告)号：CN114583312A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210224380.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/54
Abstract: 本发明公开了一种超薄锂箔材的加工回收方法以及产品，属于锂离子电池领域。本发明采用液相减薄剂与锂金属进行接触反应，制备的超薄锂箔材厚度在20μm以下，表面平整，厚度可任意调控且均一性好。本发明方法还能将制备过程中所产生的含锂副产品进行回收再利用。本发明制备的超薄金属锂箔材作为锂电池金属锂负极使用时可提高电池的能量密度，降低电池制造成本，也可以用于其他类型电极材料的补锂，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566702A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210179296.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种夹心一体化的全固态聚合物电解质膜、其制备方法和应用，属于电解质膜技术领域，本发明的夹心一体化的全固态聚合物电解质膜包括一体成型的A层、PEO层和B层，A层、B层为修饰层，修饰层中含有同一种含氟高分子材料，含氟高分子材料为聚偏二氟乙烯及其衍生物或聚四氟乙烯及其衍生物。本发明使用含氟高分子材料修饰PEO层后，不仅可以提升PEO电解质的机械强度，减薄厚度，同时可以匹配高压正极，提高电池的能量密度，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114314659A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111647168.8
申请日：2021-12-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维无机分子晶体Sb2O3纳米材料、制备方法及应用。所述制备方法包括：在Sb2O3原料上方预设距离处架设衬底，对Sb2O3原料进行加热，使得Sb2O3原料向上升华并沉积于面向Sb2O3原料的衬底上，得到形成于衬底上的二维无机分子晶体Sb2O3纳米材料。本发明通过对气相法制备工艺进行改进，制备出大尺寸、形貌规则、结晶度高的二维分子晶体Sb2O3纳米材料。由此解决目前采用的气相沉积制造方法中设备成本高、能耗高、样品尺寸小，制备条件可控性差等的技术问题。
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公开(公告)号：CN114023561A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111269911.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。
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公开(公告)号：CN113594360A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110812068.X
申请日：2021-07-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/12 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层，其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中，填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层，并通过活性金属扩散形成导电细丝，符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。
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公开(公告)号：CN111403475B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010152918.3
申请日：2020-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于二维材料领域，并具体公开了一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用，其包括1T’‑MoTe2和2H‑MoTe2两部分，且两部分间通过层间范德华力连接；制备步骤：S1将四钼酸铵和氯化钠的混合溶液烘干后作为钼源放入反应器，并在钼源上放置生长基底，将碲粉作为碲源放入反应器并置于钼源的上游；S2将钼源和碲源处温度升高到反应温度后自然降温至室温，同时向反应器中通入载气以将碲源带至钼源处，并通入还原剂，在生长基底上生成二维二碲化钼垂直异质结。本发明制备出的金属相和半导体相垂直堆垛的MoTe2异质结构，可以有效降低金属电极和材料接触的肖特基势垒，为改善金属‑半导体接触提供了重要的思路。
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