公开(公告)号：CN114314659A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111647168.8

申请日：2021-12-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 翟天佑 ,  冯昕 ,  李会巧

IPC: C01G30/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种二维无机分子晶体Sb2O3纳米材料、制备方法及应用。所述制备方法包括：在Sb2O3原料上方预设距离处架设衬底，对Sb2O3原料进行加热，使得Sb2O3原料向上升华并沉积于面向Sb2O3原料的衬底上，得到形成于衬底上的二维无机分子晶体Sb2O3纳米材料。本发明通过对气相法制备工艺进行改进，制备出大尺寸、形貌规则、结晶度高的二维分子晶体Sb2O3纳米材料。由此解决目前采用的气相沉积制造方法中设备成本高、能耗高、样品尺寸小，制备条件可控性差等的技术问题。

公开(公告)号：CN113594360A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110812068.X

申请日：2021-07-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李渊 ,  邵解烦 ,  冯昕 ,  翟天佑

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层，其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中，填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层，并通过活性金属扩散形成导电细丝，符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

公开(公告)号：CN113594360B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202110812068.X

申请日：2021-07-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李渊 ,  邵解烦 ,  冯昕 ,  翟天佑

IPC: H10N70/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层，其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中，填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层，并通过活性金属扩散形成导电细丝，符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。